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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-EinzelFQA65N06
FQA65N06 Image
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FQA65N06 - onsemi

Hersteller Artikelnummer
FQA65N06
Hersteller
onsemi
Allelco Artikelnummer
32D-FQA65N06
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
MOSFET N-CH 60V 72A TO3P
detaillierte Beschreibung
Verpackung
TO-3P-3, SC-65-3
Datenblatt
FQA65N06.pdf
vorrätig: 4570

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Spezifikation

FQA65N06 Tech -Spezifikationen
onsemi - FQA65N06 Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie onsemi - FQA65N06

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller onsemi  
VGS (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA  
Vgs (Max) ±25V  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse TO-3P  
Serie QFET®  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 16mOhm @ 36A, 10V  
Verlustleistung (max) 183W (Tc)  
Verpackung / Gehäuse TO-3P-3, SC-65-3  
Paket Tube  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ)  
Befestigungsart Through Hole  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 2410 pF @ 25 V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 65 nC @ 10 V  
Typ FET N-Channel  
FET-Merkmal -  
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 60 V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 72A (Tc)  
Grundproduktnummer FQA6  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie onsemi FQA65N06.

Produkteigenschaften FQA65N06 FQA6N80 FQA6N80 FQA6N70
Artikelnummer FQA65N06 FQA6N80 FQA6N80 FQA6N70
Hersteller onsemi onsemi Fairchild Semiconductor onsemi
Supplier Device-Gehäuse TO-3P TO-3P TO-3P TO-3P
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Grundproduktnummer FQA6 FQA6 - FQA6
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 72A (Tc) 6.3A (Tc) 6.3A (Tc) 6.4A (Tc)
Serie QFET® QFET® QFET® QFET®
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 2410 pF @ 25 V 1500 pF @ 25 V 1500 pF @ 25 V 1400 pF @ 25 V
Typ FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Vgs (Max) ±25V ±30V ±30V ±30V
Verlustleistung (max) 183W (Tc) 185W (Tc) 185W (Tc) 152W (Tc)
VGS (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA 5V @ 250µA 5V @ 250µA 5V @ 250µA
Drain-Source-Spannung (Vdss) 60 V 800 V 800 V 700 V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 16mOhm @ 36A, 10V 1.95Ohm @ 3.15A, 10V 1.95Ohm @ 3.15A, 10V 1.5Ohm @ 3.2A, 10V
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 65 nC @ 10 V 31 nC @ 10 V 31 nC @ 10 V 40 nC @ 10 V
FET-Merkmal - - - -
Befestigungsart Through Hole Through Hole Through Hole Through Hole
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V 10V 10V 10V
Verpackung / Gehäuse TO-3P-3, SC-65-3 TO-3P-3, SC-65-3 TO-3P-3, SC-65-3 TO-3P-3, SC-65-3
Paket Tube Tube Tube Tube

FQA65N06 Datenblatt PDF

Laden Sie FQA65N06 PDF -Datenblätter und onsemi -Dokumentation für FQA65N06 - onsemi herunter.

Umweltinformationen
onsemi RoHS.pdf
Datenblätter
FQA65N06.pdf

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(Unterschiedlicher Zeitrahmen / Länder / Paketgröße hat einen unterschiedlichen Preis.)

Versandart

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  2. Andere Versandmethoden, bitte setzen Sie sich mit Ihrem Kundenmanager in Verbindung.

Logistische Zeitreferenz für Gemeinsame Länder
Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
Naher Osten Israel 6
DHL & FedEx -Versandkosten Referenz
Versandkosten (KG) Referenz DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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