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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-EinzelFQA62N25C
FQA62N25C Image
Das Bild steht nur zum Referenz. Für detaillierte Produktinfos bitte die Produktdaten einsehen

FQA62N25C - onsemi

Hersteller Artikelnummer
FQA62N25C
Hersteller
onsemi
Allelco Artikelnummer
32D-FQA62N25C
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
MOSFET N-CH 250V 62A TO3PN
detaillierte Beschreibung
Verpackung
TO-3P-3, SC-65-3
Datenblatt
FQA62N25C Datasheet.pdf
RoHS Status
vorrätig: 5070

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Anzahl

Spezifikation

FQA62N25C Tech -Spezifikationen
onsemi - FQA62N25C Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie onsemi - FQA62N25C

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller onsemi  
VGS (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA  
Vgs (Max) ±30V  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse TO-3PN  
Serie QFET®  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 35mOhm @ 31A, 10V  
Verlustleistung (max) 298W (Tc)  
Verpackung / Gehäuse TO-3P-3, SC-65-3  
Paket Tube  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)  
Befestigungsart Through Hole  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 6280 pF @ 25 V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 130 nC @ 10 V  
Typ FET N-Channel  
FET-Merkmal -  
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 250 V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 62A (Tc)  
Grundproduktnummer FQA62  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie onsemi FQA62N25C.

Produkteigenschaften FQA62N25C FQA55N25 FQA65N06 FQA55N10
Artikelnummer FQA62N25C FQA55N25 FQA65N06 FQA55N10
Hersteller onsemi onsemi onsemi onsemi
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ)
VGS (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA 5V @ 250µA 4V @ 250µA 4V @ 250µA
Verpackung / Gehäuse TO-3P-3, SC-65-3 TO-3P-3, SC-65-3 TO-3P-3, SC-65-3 TO-3P-3, SC-65-3
Vgs (Max) ±30V ±30V ±25V ±25V
Paket Tube Tube Tube Tube
Befestigungsart Through Hole Through Hole Through Hole Through Hole
Drain-Source-Spannung (Vdss) 250 V 250 V 60 V 100 V
FET-Merkmal - - - -
Verlustleistung (max) 298W (Tc) 310W (Tc) 183W (Tc) 190W (Tc)
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 6280 pF @ 25 V 6250 pF @ 25 V 2410 pF @ 25 V 2730 pF @ 25 V
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 62A (Tc) 55A (Tc) 72A (Tc) 61A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 35mOhm @ 31A, 10V 40mOhm @ 27.5A, 10V 16mOhm @ 36A, 10V 26mOhm @ 30.5A, 10V
Grundproduktnummer FQA62 FQA55 FQA6 FQA5
Serie QFET® QFET® QFET® QFET®
Supplier Device-Gehäuse TO-3PN TO-3PN TO-3P TO-3P
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 130 nC @ 10 V 180 nC @ 10 V 65 nC @ 10 V 98 nC @ 10 V
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V 10V 10V 10V
Typ FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel

FQA62N25C Datenblatt PDF

Laden Sie FQA62N25C PDF -Datenblätter und onsemi -Dokumentation für FQA62N25C - onsemi herunter.

Umweltinformationen
onsemi RoHS.pdf
PCN -Design/Spezifikation
Logo 17/Aug/2017.pdf Dimension/Color Change 24/Feb/2021.pdf
PCN -Verpackung
Mult Devices 24/Oct/2017.pdf Packing quantity increase 28/Dec/2020.pdf
PCN -Obsoleszenz/ EOL
Mult Dev EOL 30/Jun/2022.pdf
Datenblätter
FQA62N25C Datasheet.pdf

Lieferung

Lieferzeit

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(Unterschiedlicher Zeitrahmen / Länder / Paketgröße hat einen unterschiedlichen Preis.)

Versandart

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  2. Andere Versandmethoden, bitte setzen Sie sich mit Ihrem Kundenmanager in Verbindung.

Logistische Zeitreferenz für Gemeinsame Länder
Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
Naher Osten Israel 6
DHL & FedEx -Versandkosten Referenz
Versandkosten (KG) Referenz DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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    +00852 9146 4856

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FQA62N25C

onsemi
32D-FQA62N25C

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