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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-EinzelFQB12P20TM
FQB12P20TM Image
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FQB12P20TM - onsemi

Hersteller Artikelnummer
FQB12P20TM
Hersteller
onsemi
Allelco Artikelnummer
32D-FQB12P20TM
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
MOSFET P-CH 200V 11.5A D2PAK
detaillierte Beschreibung
Verpackung
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Datenblatt
FQB12P20, FQI12P20.pdf
RoHS Status
vorrätig: 27333

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Spezifikation

FQB12P20TM Tech -Spezifikationen
onsemi - FQB12P20TM Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie onsemi - FQB12P20TM

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller onsemi  
VGS (th) (Max) @ Id 5V @ 250µA  
Vgs (Max) ±30V  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse D²PAK (TO-263)  
Serie QFET®  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 470mOhm @ 5.75A, 10V  
Verlustleistung (max) 3.13W (Ta), 120W (Tc)  
Verpackung / Gehäuse TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB  
Paket Tape & Reel (TR)  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)  
Befestigungsart Surface Mount  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 1200 pF @ 25 V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 40 nC @ 10 V  
Typ FET P-Channel  
FET-Merkmal -  
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 200 V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 11.5A (Tc)  
Grundproduktnummer FQB12P20  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie onsemi FQB12P20TM.

Produkteigenschaften FQB12P20TM FQB13N50CTM FQB14N30TM FQB12P10TM
Artikelnummer FQB12P20TM FQB13N50CTM FQB14N30TM FQB12P10TM
Hersteller onsemi Fairchild Semiconductor onsemi onsemi
Grundproduktnummer FQB12P20 - FQB1 FQB1
Verpackung / Gehäuse TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Typ FET P-Channel N-Channel N-Channel P-Channel
Verlustleistung (max) 3.13W (Ta), 120W (Tc) 195W (Tc) 3.13W (Ta), 147W (Tc) 3.75W (Ta), 75W (Tc)
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 11.5A (Tc) 13A (Tc) 14.4A (Tc) 11.5A (Tc)
FET-Merkmal - - - -
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Paket Tape & Reel (TR) Bulk Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
Serie QFET® QFET® QFET® QFET®
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 40 nC @ 10 V 56 nC @ 10 V 40 nC @ 10 V 27 nC @ 10 V
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 470mOhm @ 5.75A, 10V 480mOhm @ 6.5A, 10V 290mOhm @ 7.2A, 10V 290mOhm @ 5.75A, 10V
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 1200 pF @ 25 V 2055 pF @ 25 V 1360 pF @ 25 V 800 pF @ 25 V
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V 10V 10V 10V
Supplier Device-Gehäuse D²PAK (TO-263) D2PAK (TO-263) D²PAK (TO-263) D²PAK (TO-263)
Befestigungsart Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Drain-Source-Spannung (Vdss) 200 V 500 V 300 V 100 V
Vgs (Max) ±30V ±30V ±30V ±30V
VGS (th) (Max) @ Id 5V @ 250µA 4V @ 250µA 5V @ 250µA 4V @ 250µA

FQB12P20TM Datenblatt PDF

Laden Sie FQB12P20TM PDF -Datenblätter und onsemi -Dokumentation für FQB12P20TM - onsemi herunter.

Umweltinformationen
onsemi REACH.pdf onsemi RoHS.pdf
PCN -Design/Spezifikation
Logo 17/Aug/2017.pdf Postponed Qualification 27/Dec/2022.pdf
PCN -Verpackung
Mult Devices 24/Oct/2017.pdf Mult Dev Box Chgs 1/Jul/2021.pdf
PCN -Baugruppe/Herkunft
Assembly Change 09/May/2023.pdf
Datenblätter
FQB12P20, FQI12P20.pdf

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Logistische Zeitreferenz für Gemeinsame Länder
Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
Naher Osten Israel 6
DHL & FedEx -Versandkosten Referenz
Versandkosten (KG) Referenz DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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