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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-EinzelFQB14N30TM
FQB14N30TM Image
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FQB14N30TM - onsemi

Hersteller Artikelnummer
FQB14N30TM
Hersteller
onsemi
Allelco Artikelnummer
32D-FQB14N30TM
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
MOSFET N-CH 300V 14.4A D2PAK
detaillierte Beschreibung
Verpackung
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Datenblatt
FQB14N30, FQI14N30.pdf
vorrätig: 3920

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Spezifikation

FQB14N30TM Tech -Spezifikationen
onsemi - FQB14N30TM Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie onsemi - FQB14N30TM

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller onsemi  
VGS (th) (Max) @ Id 5V @ 250µA  
Vgs (Max) ±30V  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse D²PAK (TO-263)  
Serie QFET®  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 290mOhm @ 7.2A, 10V  
Verlustleistung (max) 3.13W (Ta), 147W (Tc)  
Verpackung / Gehäuse TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB  
Paket Tape & Reel (TR)  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)  
Befestigungsart Surface Mount  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 1360 pF @ 25 V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 40 nC @ 10 V  
Typ FET N-Channel  
FET-Merkmal -  
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 300 V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 14.4A (Tc)  
Grundproduktnummer FQB1  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie onsemi FQB14N30TM.

Produkteigenschaften FQB14N30TM FQB13N50CTM FQB14N30TM FQB12P20TM
Artikelnummer FQB14N30TM FQB13N50CTM FQB14N30TM FQB12P20TM
Hersteller onsemi onsemi Fairchild Semiconductor onsemi
Grundproduktnummer FQB1 FQB1 - FQB12P20
FET-Merkmal - - - -
Supplier Device-Gehäuse D²PAK (TO-263) D²PAK (TO-263) D2PAK (TO-263) D²PAK (TO-263)
Verlustleistung (max) 3.13W (Ta), 147W (Tc) 195W (Tc) 3.13W (Ta), 147W (Tc) 3.13W (Ta), 120W (Tc)
Befestigungsart Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Typ FET N-Channel N-Channel N-Channel P-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 40 nC @ 10 V 56 nC @ 10 V 40 nC @ 10 V 40 nC @ 10 V
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Serie QFET® QFET® QFET® QFET®
Verpackung / Gehäuse TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V 10V 10V 10V
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Vgs (Max) ±30V ±30V ±30V ±30V
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 1360 pF @ 25 V 2055 pF @ 25 V 1360 pF @ 25 V 1200 pF @ 25 V
Drain-Source-Spannung (Vdss) 300 V 500 V 300 V 200 V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 290mOhm @ 7.2A, 10V 480mOhm @ 6.5A, 10V 290mOhm @ 7.2A, 10V 470mOhm @ 5.75A, 10V
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 14.4A (Tc) 13A (Tc) 14.4A (Tc) 11.5A (Tc)
Paket Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Bulk Tape & Reel (TR)
VGS (th) (Max) @ Id 5V @ 250µA 4V @ 250µA 5V @ 250µA 5V @ 250µA

FQB14N30TM Datenblatt PDF

Laden Sie FQB14N30TM PDF -Datenblätter und onsemi -Dokumentation für FQB14N30TM - onsemi herunter.

Umweltinformationen
onsemi RoHS.pdf
Datenblätter
FQB14N30, FQI14N30.pdf

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Versandart

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  2. Andere Versandmethoden, bitte setzen Sie sich mit Ihrem Kundenmanager in Verbindung.

Logistische Zeitreferenz für Gemeinsame Länder
Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
Naher Osten Israel 6
DHL & FedEx -Versandkosten Referenz
Versandkosten (KG) Referenz DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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  1. Telefon
    +00852 9146 4856

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