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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-EinzelFQB24N08TM
FQB24N08TM Image
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FQB24N08TM - onsemi

Hersteller Artikelnummer
FQB24N08TM
Hersteller
onsemi
Allelco Artikelnummer
32D-FQB24N08TM
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
MOSFET N-CH 80V 24A D2PAK
detaillierte Beschreibung
Verpackung
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Datenblatt
FQB24N08, FQI24N08.pdf
vorrätig: 3660

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Spezifikation

FQB24N08TM Tech -Spezifikationen
onsemi - FQB24N08TM Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie onsemi - FQB24N08TM

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller onsemi  
VGS (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA  
Vgs (Max) ±25V  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse D²PAK (TO-263)  
Serie QFET®  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 60mOhm @ 12A, 10V  
Verlustleistung (max) 3.75W (Ta), 75W (Tc)  
Verpackung / Gehäuse TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB  
Paket Tape & Reel (TR)  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ)  
Befestigungsart Surface Mount  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 750 pF @ 25 V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 25 nC @ 10 V  
Typ FET N-Channel  
FET-Merkmal -  
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 80 V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 24A (Tc)  
Grundproduktnummer FQB2  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie onsemi FQB24N08TM.

Produkteigenschaften FQB24N08TM FQB22P10TM-F085 FQB27P06TM FQB22P10TM
Artikelnummer FQB24N08TM FQB22P10TM-F085 FQB27P06TM FQB22P10TM
Hersteller onsemi onsemi Fairchild Semiconductor onsemi
FET-Merkmal - - - -
Rds On (Max) @ Id, Vgs 60mOhm @ 12A, 10V 125mOhm @ 11A, 10V 70mOhm @ 13.5A, 10V 125mOhm @ 11A, 10V
Drain-Source-Spannung (Vdss) 80 V 100 V 60 V 100 V
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ)
Vgs (Max) ±25V ±30V ±25V ±30V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 25 nC @ 10 V 50 nC @ 10 V 43 nC @ 10 V 50 nC @ 10 V
Typ FET N-Channel P-Channel P-Channel P-Channel
VGS (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA 4V @ 250µA 4V @ 250µA 4V @ 250µA
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V 10V 10V 10V
Serie QFET® Automotive, AEC-Q101, QFET® QFET® QFET®
Befestigungsart Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 750 pF @ 25 V 1500 pF @ 25 V 1400 pF @ 25 V 1500 pF @ 25 V
Supplier Device-Gehäuse D²PAK (TO-263) D²PAK (TO-263) D2PAK (TO-263) D²PAK (TO-263)
Paket Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Bulk Tape & Reel (TR)
Verpackung / Gehäuse TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Verlustleistung (max) 3.75W (Ta), 75W (Tc) 3.75W (Ta), 125W (Tc) 3.75W (Ta), 120W (Tc) 3.75W (Ta), 125W (Tc)
Grundproduktnummer FQB2 FQB2 FQB27 FQB22P10
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 24A (Tc) 22A (Tc) 27A (Tc) 22A (Tc)

FQB24N08TM Datenblatt PDF

Laden Sie FQB24N08TM PDF -Datenblätter und onsemi -Dokumentation für FQB24N08TM - onsemi herunter.

Umweltinformationen
onsemi REACH.pdf onsemi RoHS.pdf
Datenblätter
FQB24N08, FQI24N08.pdf

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  2. Verwenden Sie unser Konto für die Sendung.In der folgenden Tabelle finden Sie die ungefähren Gebühren.
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Versandart

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  2. Andere Versandmethoden, bitte setzen Sie sich mit Ihrem Kundenmanager in Verbindung.

Logistische Zeitreferenz für Gemeinsame Länder
Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
Naher Osten Israel 6
DHL & FedEx -Versandkosten Referenz
Versandkosten (KG) Referenz DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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  1. Telefon
    +00852 9146 4856

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