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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-EinzelFQB25N33TM
FQB25N33TM Image
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FQB25N33TM - onsemi

Hersteller Artikelnummer
FQB25N33TM
Hersteller
onsemi
Allelco Artikelnummer
32D-FQB25N33TM
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
MOSFET N-CH 330V 25A D2PAK
detaillierte Beschreibung
Verpackung
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Datenblatt
FQB25N33.pdf
vorrätig: 5400

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Anzahl

Spezifikation

FQB25N33TM Tech -Spezifikationen
onsemi - FQB25N33TM Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie onsemi - FQB25N33TM

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller onsemi  
VGS (th) (Max) @ Id 5V @ 250µA  
Vgs (Max) ±30V  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse D²PAK (TO-263)  
Serie QFET®  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 230mOhm @ 12.5A, 10V  
Verlustleistung (max) 3.1W (Ta), 250W (Tc)  
Verpackung / Gehäuse TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB  
Paket Tape & Reel (TR)  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)  
Befestigungsart Surface Mount  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 2010 pF @ 25 V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 75 nC @ 15 V  
Typ FET N-Channel  
FET-Merkmal -  
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 330 V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 25A (Tc)  
Grundproduktnummer FQB2  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie onsemi FQB25N33TM.

Produkteigenschaften FQB25N33TM FQB27P06TM FQB22P10TM-F085 FQB22P10TM
Artikelnummer FQB25N33TM FQB27P06TM FQB22P10TM-F085 FQB22P10TM
Hersteller onsemi onsemi onsemi onsemi
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 75 nC @ 15 V 43 nC @ 10 V 50 nC @ 10 V 50 nC @ 10 V
VGS (th) (Max) @ Id 5V @ 250µA 4V @ 250µA 4V @ 250µA 4V @ 250µA
Serie QFET® QFET® Automotive, AEC-Q101, QFET® QFET®
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V 10V 10V 10V
Verpackung / Gehäuse TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Drain-Source-Spannung (Vdss) 330 V 60 V 100 V 100 V
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 2010 pF @ 25 V 1400 pF @ 25 V 1500 pF @ 25 V 1500 pF @ 25 V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 230mOhm @ 12.5A, 10V 70mOhm @ 13.5A, 10V 125mOhm @ 11A, 10V 125mOhm @ 11A, 10V
Supplier Device-Gehäuse D²PAK (TO-263) D²PAK (TO-263) D²PAK (TO-263) D²PAK (TO-263)
Befestigungsart Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 25A (Tc) 27A (Tc) 22A (Tc) 22A (Tc)
Paket Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
Vgs (Max) ±30V ±25V ±30V ±30V
Grundproduktnummer FQB2 FQB27 FQB2 FQB22P10
FET-Merkmal - - - -
Typ FET N-Channel P-Channel P-Channel P-Channel
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ)
Verlustleistung (max) 3.1W (Ta), 250W (Tc) 3.75W (Ta), 120W (Tc) 3.75W (Ta), 125W (Tc) 3.75W (Ta), 125W (Tc)

FQB25N33TM Datenblatt PDF

Laden Sie FQB25N33TM PDF -Datenblätter und onsemi -Dokumentation für FQB25N33TM - onsemi herunter.

Umweltinformationen
onsemi RoHS.pdf
Datenblätter
FQB25N33.pdf

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Versandart

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  2. Andere Versandmethoden, bitte setzen Sie sich mit Ihrem Kundenmanager in Verbindung.

Logistische Zeitreferenz für Gemeinsame Länder
Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
Naher Osten Israel 6
DHL & FedEx -Versandkosten Referenz
Versandkosten (KG) Referenz DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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  1. Telefon
    +00852 9146 4856

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32D-FQB25N33TM

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