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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-EinzelFQB3N80TM
FQB3N80TM Image
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FQB3N80TM - onsemi

Hersteller Artikelnummer
FQB3N80TM
Hersteller
onsemi
Allelco Artikelnummer
32D-FQB3N80TM
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
MOSFET N-CH 800V 3A D2PAK
detaillierte Beschreibung
Verpackung
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Datenblatt
FQB3N80TM.pdf
vorrätig: 3810

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Anzahl

Spezifikation

FQB3N80TM Tech -Spezifikationen
onsemi - FQB3N80TM Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie onsemi - FQB3N80TM

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller onsemi  
VGS (th) (Max) @ Id 5V @ 250µA  
Vgs (Max) ±30V  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse D²PAK (TO-263)  
Serie QFET®  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 5Ohm @ 1.5A, 10V  
Verlustleistung (max) -  
Verpackung / Gehäuse TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB  
Paket Tape & Reel (TR)  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)  
Befestigungsart Surface Mount  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 690 pF @ 25 V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 19 nC @ 10 V  
Typ FET N-Channel  
FET-Merkmal -  
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 800 V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 3A (Tc)  
Grundproduktnummer FQB3  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie onsemi FQB3N80TM.

Produkteigenschaften FQB3N80TM FQB34N20TM FQB3P20TM FQB34N20LTM
Artikelnummer FQB3N80TM FQB34N20TM FQB3P20TM FQB34N20LTM
Hersteller onsemi Fairchild Semiconductor Fairchild Semiconductor Fairchild Semiconductor
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Typ FET N-Channel N-Channel P-Channel N-Channel
Serie QFET® QFET® QFET® QFET®
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V 10V 10V 5V, 10V
Drain-Source-Spannung (Vdss) 800 V 200 V 200 V 200 V
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±30V ±30V ±30V ±20V
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 690 pF @ 25 V 3100 pF @ 25 V 250 pF @ 25 V 3900 pF @ 25 V
Paket Tape & Reel (TR) Bulk Bulk Bulk
Befestigungsart Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
FET-Merkmal - - - -
VGS (th) (Max) @ Id 5V @ 250µA 5V @ 250µA 5V @ 250µA 2V @ 250µA
Verpackung / Gehäuse TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Rds On (Max) @ Id, Vgs 5Ohm @ 1.5A, 10V 75mOhm @ 15.5A, 10V 2.7Ohm @ 1.4A, 10V 75mOhm @ 15.5A, 10V
Grundproduktnummer FQB3 - - -
Verlustleistung (max) - 3.13W (Ta), 180W (Tc) 3.13W (Ta), 52W (Tc) 3.13W (Ta), 180W (Tc)
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 3A (Tc) 31A (Tc) 2.8A (Tc) 31A (Tc)
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 19 nC @ 10 V 78 nC @ 10 V 8 nC @ 10 V 72 nC @ 5 V
Supplier Device-Gehäuse D²PAK (TO-263) D2PAK (TO-263) D2PAK (TO-263) D2PAK (TO-263)

FQB3N80TM Datenblatt PDF

Laden Sie FQB3N80TM PDF -Datenblätter und onsemi -Dokumentation für FQB3N80TM - onsemi herunter.

Umweltinformationen
onsemi RoHS.pdf

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  2. Verwenden Sie unser Konto für die Sendung.In der folgenden Tabelle finden Sie die ungefähren Gebühren.
(Unterschiedlicher Zeitrahmen / Länder / Paketgröße hat einen unterschiedlichen Preis.)

Versandart

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  2. Andere Versandmethoden, bitte setzen Sie sich mit Ihrem Kundenmanager in Verbindung.

Logistische Zeitreferenz für Gemeinsame Länder
Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
Naher Osten Israel 6
DHL & FedEx -Versandkosten Referenz
Versandkosten (KG) Referenz DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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