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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-EinzelFQB3P20TM
FQB3P20TM Image
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FQB3P20TM - onsemi

Hersteller Artikelnummer
FQB3P20TM
Hersteller
onsemi
Allelco Artikelnummer
32D-FQB3P20TM
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
MOSFET P-CH 200V 2.8A D2PAK
detaillierte Beschreibung
Verpackung
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Datenblatt
FQB3P20, FQI3P20.pdf
vorrätig: 4340

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Spezifikation

FQB3P20TM Tech -Spezifikationen
onsemi - FQB3P20TM Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie onsemi - FQB3P20TM

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller onsemi  
VGS (th) (Max) @ Id 5V @ 250µA  
Vgs (Max) ±30V  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse D²PAK (TO-263)  
Serie QFET®  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 2.7Ohm @ 1.4A, 10V  
Verlustleistung (max) 3.13W (Ta), 52W (Tc)  
Verpackung / Gehäuse TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB  
Paket Tape & Reel (TR)  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)  
Befestigungsart Surface Mount  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 250 pF @ 25 V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 8 nC @ 10 V  
Typ FET P-Channel  
FET-Merkmal -  
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 200 V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 2.8A (Tc)  
Grundproduktnummer FQB3  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie onsemi FQB3P20TM.

Produkteigenschaften FQB3P20TM FQB3P50TM FQB34P10TM FQB3P20TM
Artikelnummer FQB3P20TM FQB3P50TM FQB34P10TM FQB3P20TM
Hersteller onsemi onsemi onsemi Fairchild Semiconductor
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V 10V 10V 10V
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Supplier Device-Gehäuse D²PAK (TO-263) D²PAK (TO-263) D²PAK (TO-263) D2PAK (TO-263)
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 250 pF @ 25 V 660 pF @ 25 V 2910 pF @ 25 V 250 pF @ 25 V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 2.7Ohm @ 1.4A, 10V 4.9Ohm @ 1.35A, 10V 60mOhm @ 16.75A, 10V 2.7Ohm @ 1.4A, 10V
Typ FET P-Channel P-Channel P-Channel P-Channel
VGS (th) (Max) @ Id 5V @ 250µA 5V @ 250µA 4V @ 250µA 5V @ 250µA
Vgs (Max) ±30V ±30V ±25V ±30V
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 2.8A (Tc) 2.7A (Tc) 33.5A (Tc) 2.8A (Tc)
Verlustleistung (max) 3.13W (Ta), 52W (Tc) 3.13W (Ta), 85W (Tc) 3.75W (Ta), 155W (Tc) 3.13W (Ta), 52W (Tc)
FET-Merkmal - - - -
Verpackung / Gehäuse TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Paket Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Bulk
Serie QFET® QFET® QFET® QFET®
Befestigungsart Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Drain-Source-Spannung (Vdss) 200 V 500 V 100 V 200 V
Grundproduktnummer FQB3 FQB3 FQB34P10 -
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 8 nC @ 10 V 23 nC @ 10 V 110 nC @ 10 V 8 nC @ 10 V

FQB3P20TM Datenblatt PDF

Laden Sie FQB3P20TM PDF -Datenblätter und onsemi -Dokumentation für FQB3P20TM - onsemi herunter.

Umweltinformationen
onsemi REACH.pdf onsemi RoHS.pdf
Datenblätter
FQB3P20, FQI3P20.pdf

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Versandart

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Logistische Zeitreferenz für Gemeinsame Länder
Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
Naher Osten Israel 6
DHL & FedEx -Versandkosten Referenz
Versandkosten (KG) Referenz DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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  1. Telefon
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