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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-EinzelFQB6N70TM
FQB6N70TM Image
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FQB6N70TM - onsemi

Hersteller Artikelnummer
FQB6N70TM
Hersteller
onsemi
Allelco Artikelnummer
32D-FQB6N70TM
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
MOSFET N-CH 700V 6.2A D2PAK
detaillierte Beschreibung
Verpackung
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Datenblatt
FQB6N70, FQI6N70.pdf
vorrätig: 4850

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Anzahl

Spezifikation

FQB6N70TM Tech -Spezifikationen
onsemi - FQB6N70TM Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie onsemi - FQB6N70TM

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller onsemi  
VGS (th) (Max) @ Id 5V @ 250µA  
Vgs (Max) ±30V  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse D²PAK (TO-263)  
Serie QFET®  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 1.5Ohm @ 3.1A, 10V  
Verlustleistung (max) 3.13W (Ta), 142W (Tc)  
Verpackung / Gehäuse TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB  
Paket Tape & Reel (TR)  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)  
Befestigungsart Surface Mount  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 1400 pF @ 25 V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 40 nC @ 10 V  
Typ FET N-Channel  
FET-Merkmal -  
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 700 V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 6.2A (Tc)  
Grundproduktnummer FQB6  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie onsemi FQB6N70TM.

Produkteigenschaften FQB6N70TM FQB6N50TM FQB6N90TM_AM002 FQB6N70TM
Artikelnummer FQB6N70TM FQB6N50TM FQB6N90TM_AM002 FQB6N70TM
Hersteller onsemi onsemi onsemi Fairchild Semiconductor
Verlustleistung (max) 3.13W (Ta), 142W (Tc) 3.13W (Ta), 130W (Tc) 3.13W (Ta), 167W (Tc) 3.13W (Ta), 142W (Tc)
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
FET-Merkmal - - - -
VGS (th) (Max) @ Id 5V @ 250µA 5V @ 250µA 5V @ 250µA 5V @ 250µA
Vgs (Max) ±30V ±30V ±30V ±30V
Paket Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Bulk
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V 10V 10V 10V
Grundproduktnummer FQB6 FQB6 FQB6 -
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 6.2A (Tc) 5.5A (Tc) 5.8A (Tc) 6.2A (Tc)
Verpackung / Gehäuse TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Serie QFET® QFET® QFET® QFET®
Rds On (Max) @ Id, Vgs 1.5Ohm @ 3.1A, 10V 1.3Ohm @ 2.8A, 10V 1.9Ohm @ 2.9A, 10V 1.5Ohm @ 3.1A, 10V
Supplier Device-Gehäuse D²PAK (TO-263) D²PAK (TO-263) D²PAK (TO-263) D2PAK (TO-263)
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 40 nC @ 10 V 22 nC @ 10 V 52 nC @ 10 V 40 nC @ 10 V
Typ FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 1400 pF @ 25 V 790 pF @ 25 V 1880 pF @ 25 V 1400 pF @ 25 V
Drain-Source-Spannung (Vdss) 700 V 500 V 900 V 700 V
Befestigungsart Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount

FQB6N70TM Datenblatt PDF

Laden Sie FQB6N70TM PDF -Datenblätter und onsemi -Dokumentation für FQB6N70TM - onsemi herunter.

Umweltinformationen
onsemi RoHS.pdf
Datenblätter
FQB6N70, FQI6N70.pdf

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Logistische Zeitreferenz für Gemeinsame Länder
Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
Naher Osten Israel 6
DHL & FedEx -Versandkosten Referenz
Versandkosten (KG) Referenz DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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