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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-EinzelFQB6N80TM
FQB6N80TM Image
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FQB6N80TM - onsemi

Hersteller Artikelnummer
FQB6N80TM
Hersteller
onsemi
Allelco Artikelnummer
32D-FQB6N80TM
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
MOSFET N-CH 800V 5.8A D2PAK
detaillierte Beschreibung
Verpackung
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Datenblatt
FQB6N80.pdf
RoHS Status
vorrätig: 3660

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Anzahl

Spezifikation

FQB6N80TM Tech -Spezifikationen
onsemi - FQB6N80TM Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie onsemi - FQB6N80TM

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller onsemi  
VGS (th) (Max) @ Id 5V @ 250µA  
Vgs (Max) ±30V  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse D²PAK (TO-263)  
Serie QFET®  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 1.95Ohm @ 2.9A, 10V  
Verlustleistung (max) 3.13W (Ta), 158W (Tc)  
Verpackung / Gehäuse TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB  
Paket Tape & Reel (TR)  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)  
Befestigungsart Surface Mount  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 1500 pF @ 25 V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 31 nC @ 10 V  
Typ FET N-Channel  
FET-Merkmal -  
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 800 V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 5.8A (Tc)  
Grundproduktnummer FQB6N80  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie onsemi FQB6N80TM.

Produkteigenschaften FQB6N80TM FQB6N60TM FQB6N70TM FQB6N60CTM
Artikelnummer FQB6N80TM FQB6N60TM FQB6N70TM FQB6N60CTM
Hersteller onsemi Fairchild Semiconductor onsemi onsemi
Grundproduktnummer FQB6N80 - FQB6 FQB6
VGS (th) (Max) @ Id 5V @ 250µA 5V @ 250µA 5V @ 250µA 4V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 31 nC @ 10 V 25 nC @ 10 V 40 nC @ 10 V 20 nC @ 10 V
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 1500 pF @ 25 V 1000 pF @ 25 V 1400 pF @ 25 V 810 pF @ 25 V
Befestigungsart Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Rds On (Max) @ Id, Vgs 1.95Ohm @ 2.9A, 10V 1.5Ohm @ 3.1A, 10V 1.5Ohm @ 3.1A, 10V 2Ohm @ 2.75A, 10V
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 5.8A (Tc) 6.2A (Tc) 6.2A (Tc) 5.5A (Tc)
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Verlustleistung (max) 3.13W (Ta), 158W (Tc) 3.13W (Ta), 130W (Tc) 3.13W (Ta), 142W (Tc) 125W (Tc)
Paket Tape & Reel (TR) Bulk Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
Typ FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Verpackung / Gehäuse TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Serie QFET® QFET® QFET® QFET®
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V 10V 10V 10V
Supplier Device-Gehäuse D²PAK (TO-263) D2PAK (TO-263) D²PAK (TO-263) D²PAK (TO-263)
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Vgs (Max) ±30V ±30V ±30V ±30V
FET-Merkmal - - - -
Drain-Source-Spannung (Vdss) 800 V 600 V 700 V 600 V

FQB6N80TM Datenblatt PDF

Laden Sie FQB6N80TM PDF -Datenblätter und onsemi -Dokumentation für FQB6N80TM - onsemi herunter.

Umweltinformationen
onsemi RoHS.pdf
PCN -Design/Spezifikation
Logo 17/Aug/2017.pdf Description Chg 01/Apr/2016.pdf
PCN -Verpackung
Mult Devices 24/Oct/2017.pdf Mult Dev Box Chgs 1/Jul/2021.pdf
PCN -Obsoleszenz/ EOL
Mult Dev EOL 23/Dec/2021.pdf
PCN -Baugruppe/Herkunft
Mult Dev Assem/Test Add 25/Jul/2019.pdf
Datenblätter
FQB6N80.pdf

Lieferung

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Versandart

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Logistische Zeitreferenz für Gemeinsame Länder
Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
Naher Osten Israel 6
DHL & FedEx -Versandkosten Referenz
Versandkosten (KG) Referenz DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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