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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-EinzelFQB7N10LTM
FQB7N10LTM Image
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FQB7N10LTM - onsemi

Hersteller Artikelnummer
FQB7N10LTM
Hersteller
onsemi
Allelco Artikelnummer
32D-FQB7N10LTM
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
MOSFET N-CH 100V 7.3A D2PAK
detaillierte Beschreibung
Verpackung
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Datenblatt
FQB7N10L, FQI7N10L.pdf
vorrätig: 3900

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Spezifikation

FQB7N10LTM Tech -Spezifikationen
onsemi - FQB7N10LTM Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie onsemi - FQB7N10LTM

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller onsemi  
VGS (th) (Max) @ Id 2V @ 250µA  
Vgs (Max) ±20V  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse D²PAK (TO-263)  
Serie QFET®  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 350mOhm @ 3.65A, 10V  
Verlustleistung (max) 3.75W (Ta), 40W (Tc)  
Verpackung / Gehäuse TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB  
Paket Tape & Reel (TR)  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ)  
Befestigungsart Surface Mount  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 290 pF @ 25 V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 6 nC @ 5 V  
Typ FET N-Channel  
FET-Merkmal -  
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 5V, 10V  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 100 V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 7.3A (Tc)  
Grundproduktnummer FQB7  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie onsemi FQB7N10LTM.

Produkteigenschaften FQB7N10LTM FQB7N30TM FQB6N90TM_AM002 FQB7N30TM
Artikelnummer FQB7N10LTM FQB7N30TM FQB6N90TM_AM002 FQB7N30TM
Hersteller onsemi onsemi onsemi Fairchild Semiconductor
VGS (th) (Max) @ Id 2V @ 250µA 5V @ 250µA 5V @ 250µA 5V @ 250µA
FET-Merkmal - - - -
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 7.3A (Tc) 7A (Tc) 5.8A (Tc) 7A (Tc)
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 5V, 10V 10V 10V 10V
Befestigungsart Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Verpackung / Gehäuse TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Paket Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Bulk
Drain-Source-Spannung (Vdss) 100 V 300 V 900 V 300 V
Supplier Device-Gehäuse D²PAK (TO-263) D²PAK (TO-263) D²PAK (TO-263) D2PAK (TO-263)
Grundproduktnummer FQB7 FQB7 FQB6 -
Vgs (Max) ±20V ±30V ±30V ±30V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 6 nC @ 5 V 17 nC @ 10 V 52 nC @ 10 V 17 nC @ 10 V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 350mOhm @ 3.65A, 10V 700mOhm @ 3.5A, 10V 1.9Ohm @ 2.9A, 10V 700mOhm @ 3.5A, 10V
Verlustleistung (max) 3.75W (Ta), 40W (Tc) 3.13W (Ta), 85W (Tc) 3.13W (Ta), 167W (Tc) 3.13W (Ta), 85W (Tc)
Serie QFET® QFET® QFET® QFET®
Typ FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 290 pF @ 25 V 610 pF @ 25 V 1880 pF @ 25 V 610 pF @ 25 V
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)

FQB7N10LTM Datenblatt PDF

Laden Sie FQB7N10LTM PDF -Datenblätter und onsemi -Dokumentation für FQB7N10LTM - onsemi herunter.

Umweltinformationen
onsemi REACH.pdf onsemi RoHS.pdf
Datenblätter
FQB7N10L, FQI7N10L.pdf

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Logistische Zeitreferenz für Gemeinsame Länder
Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
Naher Osten Israel 6
DHL & FedEx -Versandkosten Referenz
Versandkosten (KG) Referenz DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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