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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-EinzelFQB7N65CTM
FQB7N65CTM Image
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FQB7N65CTM - onsemi

Hersteller Artikelnummer
FQB7N65CTM
Hersteller
onsemi
Allelco Artikelnummer
32D-FQB7N65CTM
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
MOSFET N-CH 650V 7A D2PAK
detaillierte Beschreibung
Verpackung
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Datenblatt
FQB7N65C.pdf
vorrätig: 4430

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Anzahl

Spezifikation

FQB7N65CTM Tech -Spezifikationen
onsemi - FQB7N65CTM Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie onsemi - FQB7N65CTM

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller onsemi  
VGS (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA  
Vgs (Max) ±30V  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse D²PAK (TO-263)  
Serie QFET®  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 1.4Ohm @ 3.5A, 10V  
Verlustleistung (max) 173W (Tc)  
Verpackung / Gehäuse TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB  
Paket Tape & Reel (TR)  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)  
Befestigungsart Surface Mount  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 1245 pF @ 25 V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 36 nC @ 10 V  
Typ FET N-Channel  
FET-Merkmal -  
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 650 V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 7A (Tc)  
Grundproduktnummer FQB7  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie onsemi FQB7N65CTM.

Produkteigenschaften FQB7N65CTM FQB7P20TM FQB7N60TM FQB7P20TM
Artikelnummer FQB7N65CTM FQB7P20TM FQB7N60TM FQB7P20TM
Hersteller onsemi Fairchild Semiconductor onsemi onsemi
Grundproduktnummer FQB7 - FQB7N60 FQB7P20
Typ FET N-Channel P-Channel N-Channel P-Channel
Befestigungsart Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss) 650 V 200 V 600 V 200 V
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 7A (Tc) 7.3A (Tc) 7.4A (Tc) 7.3A (Tc)
VGS (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA 5V @ 250µA 5V @ 250µA 5V @ 250µA
Vgs (Max) ±30V ±30V ±30V ±30V
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Paket Tape & Reel (TR) Bulk Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 1.4Ohm @ 3.5A, 10V 690mOhm @ 3.65A, 10V 1Ohm @ 3.7A, 10V 690mOhm @ 3.65A, 10V
Verpackung / Gehäuse TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Verlustleistung (max) 173W (Tc) 3.13W (Ta), 90W (Tc) 3.13W (Ta), 142W (Tc) 3.13W (Ta), 90W (Tc)
Supplier Device-Gehäuse D²PAK (TO-263) D²PAK (TO-263) D²PAK (TO-263) D²PAK (TO-263)
Serie QFET® QFET® QFET® QFET®
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 1245 pF @ 25 V 770 pF @ 25 V 1430 pF @ 25 V 770 pF @ 25 V
FET-Merkmal - - - -
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V 10V 10V 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 36 nC @ 10 V 25 nC @ 10 V 38 nC @ 10 V 25 nC @ 10 V

FQB7N65CTM Datenblatt PDF

Laden Sie FQB7N65CTM PDF -Datenblätter und onsemi -Dokumentation für FQB7N65CTM - onsemi herunter.

Umweltinformationen
onsemi RoHS.pdf
Datenblätter
FQB7N65C.pdf

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Versandart

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Logistische Zeitreferenz für Gemeinsame Länder
Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
Naher Osten Israel 6
DHL & FedEx -Versandkosten Referenz
Versandkosten (KG) Referenz DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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