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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-EinzelFQB7P20TM
FQB7P20TM Image
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FQB7P20TM - onsemi

Hersteller Artikelnummer
FQB7P20TM
Hersteller
onsemi
Allelco Artikelnummer
32D-FQB7P20TM
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
MOSFET P-CH 200V 7.3A D2PAK
detaillierte Beschreibung
Verpackung
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Datenblatt
FQB7P20TM.pdf
RoHS Status
vorrätig: 4440

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Anzahl

Spezifikation

FQB7P20TM Tech -Spezifikationen
onsemi - FQB7P20TM Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie onsemi - FQB7P20TM

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller onsemi  
VGS (th) (Max) @ Id 5V @ 250µA  
Vgs (Max) ±30V  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse D²PAK (TO-263)  
Serie QFET®  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 690mOhm @ 3.65A, 10V  
Verlustleistung (max) 3.13W (Ta), 90W (Tc)  
Verpackung / Gehäuse TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB  
Paket Tape & Reel (TR)  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)  
Befestigungsart Surface Mount  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 770 pF @ 25 V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 25 nC @ 10 V  
Typ FET P-Channel  
FET-Merkmal -  
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 200 V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 7.3A (Tc)  
Grundproduktnummer FQB7P20  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie onsemi FQB7P20TM.

Produkteigenschaften FQB7P20TM FQB85N06TM FQB8N25TM FQB7N80TM
Artikelnummer FQB7P20TM FQB85N06TM FQB8N25TM FQB7N80TM
Hersteller onsemi Fairchild Semiconductor Fairchild Semiconductor Fairchild Semiconductor
Grundproduktnummer FQB7P20 - - -
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 7.3A (Tc) 85A (Tc) 8A (Tc) 6.6A (Tc)
Vgs (Max) ±30V ±25V ±30V ±30V
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 770 pF @ 25 V 4120 pF @ 25 V 530 pF @ 25 V 1850 pF @ 25 V
Befestigungsart Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Verlustleistung (max) 3.13W (Ta), 90W (Tc) 3.75W (Ta), 160W (Tc) 3.13W (Ta), 87W (Tc) 3.13W (Ta), 167W (Tc)
Supplier Device-Gehäuse D²PAK (TO-263) D2PAK (TO-263) D2PAK (TO-263) D2PAK (TO-263)
Drain-Source-Spannung (Vdss) 200 V 60 V 250 V 800 V
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Verpackung / Gehäuse TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V 10V 10V 10V
Serie QFET® QFET® QFET® QFET®
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 25 nC @ 10 V 112 nC @ 10 V 15 nC @ 10 V 52 nC @ 10 V
VGS (th) (Max) @ Id 5V @ 250µA 4V @ 250µA 5V @ 250µA 5V @ 250µA
FET-Merkmal - - - -
Rds On (Max) @ Id, Vgs 690mOhm @ 3.65A, 10V 10mOhm @ 42.5A, 10V 550mOhm @ 4A, 10V 1.5Ohm @ 3.3A, 10V
Paket Tape & Reel (TR) Bulk Bulk Bulk
Typ FET P-Channel N-Channel N-Channel N-Channel

FQB7P20TM Datenblatt PDF

Laden Sie FQB7P20TM PDF -Datenblätter und onsemi -Dokumentation für FQB7P20TM - onsemi herunter.

Umweltinformationen
onsemi REACH.pdf onsemi RoHS.pdf
PCN -Design/Spezifikation
Logo 17/Aug/2017.pdf Description Chg 01/Apr/2016.pdf
PCN -Verpackung
Mult Devices 24/Oct/2017.pdf Mult Dev Box Chgs 1/Jul/2021.pdf
PCN -Obsoleszenz/ EOL
Mult Dev EOL 30/Jun/2022.pdf
PCN -Baugruppe/Herkunft
Multiple Parts 23/Jun/2022.pdf

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Logistische Zeitreferenz für Gemeinsame Länder
Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
Naher Osten Israel 6
DHL & FedEx -Versandkosten Referenz
Versandkosten (KG) Referenz DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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