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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-EinzelFQI3N90TU
onsemi
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FQI3N90TU - onsemi

Hersteller Artikelnummer
FQI3N90TU
Hersteller
onsemi
Allelco Artikelnummer
32D-FQI3N90TU
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
MOSFET N-CH 900V 3.6A I2PAK
detaillierte Beschreibung
Verpackung
TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
Datenblatt
FQB3N90, FQI3N90.pdf
vorrätig: 3680

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Anzahl

Spezifikation

FQI3N90TU Tech -Spezifikationen
onsemi - FQI3N90TU Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie onsemi - FQI3N90TU

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller onsemi  
VGS (th) (Max) @ Id 5V @ 250µA  
Vgs (Max) ±30V  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse I2PAK (TO-262)  
Serie QFET®  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 4.25Ohm @ 1.8A, 10V  
Verlustleistung (max) 3.13W (Ta), 130W (Tc)  
Verpackung / Gehäuse TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA  
Paket Tube  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)  
Befestigungsart Through Hole  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 910 pF @ 25 V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 26 nC @ 10 V  
Typ FET N-Channel  
FET-Merkmal -  
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 900 V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 3.6A (Tc)  
Grundproduktnummer FQI3  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie onsemi FQI3N90TU.

Produkteigenschaften FQI3N90TU FQI3N30TU FQI4N20TU FQI3N30TU
Artikelnummer FQI3N90TU FQI3N30TU FQI4N20TU FQI3N30TU
Hersteller onsemi Fairchild Semiconductor Fairchild Semiconductor onsemi
Vgs (Max) ±30V ±30V ±30V ±30V
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V 10V 10V 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 26 nC @ 10 V 7 nC @ 10 V 6.5 nC @ 10 V 7 nC @ 10 V
Typ FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 3.6A (Tc) 3.2A (Tc) 3.6A (Tc) 3.2A (Tc)
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Verlustleistung (max) 3.13W (Ta), 130W (Tc) 3.13W (Ta), 55W (Tc) 3.13W (Ta), 45W (Tc) 3.13W (Ta), 55W (Tc)
Supplier Device-Gehäuse I2PAK (TO-262) I2PAK (TO-262) I2PAK (TO-262) I2PAK (TO-262)
Verpackung / Gehäuse TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
Rds On (Max) @ Id, Vgs 4.25Ohm @ 1.8A, 10V 2.2Ohm @ 1.6A, 10V 1.4Ohm @ 1.8A, 10V 2.2Ohm @ 1.6A, 10V
Paket Tube Tube Tube Tube
Drain-Source-Spannung (Vdss) 900 V 300 V 200 V 300 V
FET-Merkmal - - - -
Grundproduktnummer FQI3 - - FQI3
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 910 pF @ 25 V 230 pF @ 25 V 220 pF @ 25 V 230 pF @ 25 V
Befestigungsart Through Hole Through Hole Through Hole Through Hole
VGS (th) (Max) @ Id 5V @ 250µA 5V @ 250µA 5V @ 250µA 5V @ 250µA
Serie QFET® QFET® QFET® QFET®

FQI3N90TU Datenblatt PDF

Laden Sie FQI3N90TU PDF -Datenblätter und onsemi -Dokumentation für FQI3N90TU - onsemi herunter.

Umweltinformationen
onsemi RoHS.pdf
Datenblätter
FQB3N90, FQI3N90.pdf

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Versandart

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  2. Andere Versandmethoden, bitte setzen Sie sich mit Ihrem Kundenmanager in Verbindung.

Logistische Zeitreferenz für Gemeinsame Länder
Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
Naher Osten Israel 6
DHL & FedEx -Versandkosten Referenz
Versandkosten (KG) Referenz DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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