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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-EinzelFQI47P06TU
onsemi
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FQI47P06TU - onsemi

Hersteller Artikelnummer
FQI47P06TU
Hersteller
onsemi
Allelco Artikelnummer
32D-FQI47P06TU
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
MOSFET P-CH 60V 47A I2PAK
detaillierte Beschreibung
Verpackung
TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
Datenblatt
FQB47P06, FQI47P06.pdf
vorrätig: 4080

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Anzahl

Spezifikation

FQI47P06TU Tech -Spezifikationen
onsemi - FQI47P06TU Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie onsemi - FQI47P06TU

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller onsemi  
VGS (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA  
Vgs (Max) ±25V  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse I2PAK (TO-262)  
Serie QFET®  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 26mOhm @ 23.5A, 10V  
Verlustleistung (max) 3.75W (Ta), 160W (Tc)  
Verpackung / Gehäuse TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA  
Paket Tube  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ)  
Befestigungsart Through Hole  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 3600 pF @ 25 V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 110 nC @ 10 V  
Typ FET P-Channel  
FET-Merkmal -  
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 60 V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 47A (Tc)  
Grundproduktnummer FQI4  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie onsemi FQI47P06TU.

Produkteigenschaften FQI47P06TU FQI4N20TU FQI47P06TU FQI3N30TU
Artikelnummer FQI47P06TU FQI4N20TU FQI47P06TU FQI3N30TU
Hersteller onsemi onsemi Fairchild Semiconductor onsemi
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 110 nC @ 10 V 6.5 nC @ 10 V 110 nC @ 10 V 7 nC @ 10 V
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 3600 pF @ 25 V 220 pF @ 25 V 3600 pF @ 25 V 230 pF @ 25 V
Serie QFET® QFET® QFET® QFET®
Befestigungsart Through Hole Through Hole Through Hole Through Hole
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V 10V 10V 10V
FET-Merkmal - - - -
VGS (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA 5V @ 250µA 4V @ 250µA 5V @ 250µA
Rds On (Max) @ Id, Vgs 26mOhm @ 23.5A, 10V 1.4Ohm @ 1.8A, 10V 26mOhm @ 23.5A, 10V 2.2Ohm @ 1.6A, 10V
Grundproduktnummer FQI4 FQI4 - FQI3
Verlustleistung (max) 3.75W (Ta), 160W (Tc) 3.13W (Ta), 45W (Tc) 3.75W (Ta), 160W (Tc) 3.13W (Ta), 55W (Tc)
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Verpackung / Gehäuse TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
Drain-Source-Spannung (Vdss) 60 V 200 V 60 V 300 V
Typ FET P-Channel N-Channel P-Channel N-Channel
Paket Tube Tube Tube Tube
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Supplier Device-Gehäuse I2PAK (TO-262) I2PAK (TO-262) I2PAK (TO-262) I2PAK (TO-262)
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 47A (Tc) 3.6A (Tc) 47A (Tc) 3.2A (Tc)
Vgs (Max) ±25V ±30V ±25V ±30V

FQI47P06TU Datenblatt PDF

Laden Sie FQI47P06TU PDF -Datenblätter und onsemi -Dokumentation für FQI47P06TU - onsemi herunter.

Umweltinformationen
onsemi REACH.pdf onsemi RoHS.pdf
Datenblätter
FQB47P06, FQI47P06.pdf

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Versandart

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Logistische Zeitreferenz für Gemeinsame Länder
Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
Naher Osten Israel 6
DHL & FedEx -Versandkosten Referenz
Versandkosten (KG) Referenz DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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