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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-EinzelFQP2N40
FQP2N40 Image
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FQP2N40 - onsemi

Hersteller Artikelnummer
FQP2N40
Hersteller
onsemi
Allelco Artikelnummer
32D-FQP2N40
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
MOSFET N-CH 400V 1.8A TO220-3
detaillierte Beschreibung
Verpackung
TO-220-3
Datenblatt
TO220B03 Pkg Drawing.pdf
FQP2N40.pdf
vorrätig: 4540

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Anzahl

Spezifikation

FQP2N40 Tech -Spezifikationen
onsemi - FQP2N40 Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie onsemi - FQP2N40

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller onsemi  
VGS (th) (Max) @ Id 5V @ 250µA  
Vgs (Max) ±30V  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse TO-220-3  
Serie QFET®  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 5.8Ohm @ 900mA, 10V  
Verlustleistung (max) 40W (Tc)  
Verpackung / Gehäuse TO-220-3  
Paket Tube  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)  
Befestigungsart Through Hole  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 150 pF @ 25 V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 5.5 nC @ 10 V  
Typ FET N-Channel  
FET-Merkmal -  
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 400 V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 1.8A (Tc)  
Grundproduktnummer FQP2  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie onsemi FQP2N40.

Produkteigenschaften FQP2N40 FQP2N80 FQP2N30 FQP2N60
Artikelnummer FQP2N40 FQP2N80 FQP2N30 FQP2N60
Hersteller onsemi Fairchild Semiconductor onsemi Fairchild Semiconductor
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 1.8A (Tc) 2.4A (Tc) 2.1A (Tc) 2.4A (Tc)
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V 10V 10V 10V
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Serie QFET® QFET® QFET® QFET®
Verpackung / Gehäuse TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3
Rds On (Max) @ Id, Vgs 5.8Ohm @ 900mA, 10V 6.3Ohm @ 1.2A, 10V 3.7Ohm @ 1.05A, 10V 4.7Ohm @ 1.2A, 10V
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 150 pF @ 25 V 550 pF @ 25 V 130 pF @ 25 V 350 pF @ 25 V
Grundproduktnummer FQP2 - FQP2 -
Typ FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
VGS (th) (Max) @ Id 5V @ 250µA 5V @ 250µA 5V @ 250µA 4V @ 250µA
Drain-Source-Spannung (Vdss) 400 V 800 V 300 V 600 V
Verlustleistung (max) 40W (Tc) 85W (Tc) 40W (Tc) 64W (Tc)
Paket Tube Bulk Tube Tube
Befestigungsart Through Hole Through Hole Through Hole Through Hole
Vgs (Max) ±30V ±30V ±30V ±30V
FET-Merkmal - - - -
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 5.5 nC @ 10 V 15 nC @ 10 V 5 nC @ 10 V 11 nC @ 10 V
Supplier Device-Gehäuse TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3

FQP2N40 Datenblatt PDF

Laden Sie FQP2N40 PDF -Datenblätter und onsemi -Dokumentation für FQP2N40 - onsemi herunter.

Umweltinformationen
onsemi REACH.pdf onsemi RoHS.pdf
Datenblätter
TO220B03 Pkg Drawing.pdf FQP2N40.pdf

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(Unterschiedlicher Zeitrahmen / Länder / Paketgröße hat einen unterschiedlichen Preis.)

Versandart

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Logistische Zeitreferenz für Gemeinsame Länder
Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
Naher Osten Israel 6
DHL & FedEx -Versandkosten Referenz
Versandkosten (KG) Referenz DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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  1. Telefon
    +00852 9146 4856

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