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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-EinzelFQP2N80
FQP2N80 Image
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FQP2N80 - onsemi

Hersteller Artikelnummer
FQP2N80
Hersteller
onsemi
Allelco Artikelnummer
32D-FQP2N80
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
MOSFET N-CH 800V 2.4A TO220-3
detaillierte Beschreibung
Verpackung
TO-220-3
Datenblatt
TO220B03 Pkg Drawing.pdf
RoHS Status
vorrätig: 4740

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Anzahl

Spezifikation

FQP2N80 Tech -Spezifikationen
onsemi - FQP2N80 Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie onsemi - FQP2N80

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller onsemi  
VGS (th) (Max) @ Id 5V @ 250µA  
Vgs (Max) ±30V  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse TO-220-3  
Serie QFET®  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 6.3Ohm @ 1.2A, 10V  
Verlustleistung (max) 85W (Tc)  
Verpackung / Gehäuse TO-220-3  
Paket Tube  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)  
Befestigungsart Through Hole  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 550 pF @ 25 V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 15 nC @ 10 V  
Typ FET N-Channel  
FET-Merkmal -  
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 800 V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 2.4A (Tc)  
Grundproduktnummer FQP2  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie onsemi FQP2N80.

Produkteigenschaften FQP2N80 FQP2N60C FQP2P25 FQP2P40
Artikelnummer FQP2N80 FQP2N60C FQP2P25 FQP2P40
Hersteller onsemi Fairchild Semiconductor Fairchild Semiconductor onsemi
Serie QFET® * QFET® QFET®
VGS (th) (Max) @ Id 5V @ 250µA - 5V @ 250µA 5V @ 250µA
Rds On (Max) @ Id, Vgs 6.3Ohm @ 1.2A, 10V - 4Ohm @ 1.15A, 10V 6.5Ohm @ 1A, 10V
FET-Merkmal - - - -
Verpackung / Gehäuse TO-220-3 - TO-220-3 TO-220-3
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 15 nC @ 10 V - 8.5 nC @ 10 V 13 nC @ 10 V
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 2.4A (Tc) - 2.3A (Tc) 2A (Tc)
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) - -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Technologie MOSFET (Metal Oxide) - MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±30V - ±30V ±30V
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V - 10V 10V
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 550 pF @ 25 V - 250 pF @ 25 V 350 pF @ 25 V
Typ FET N-Channel - P-Channel P-Channel
Verlustleistung (max) 85W (Tc) - 52W (Tc) 63W (Tc)
Supplier Device-Gehäuse TO-220-3 - TO-220-3 TO-220-3
Grundproduktnummer FQP2 - - FQP2
Drain-Source-Spannung (Vdss) 800 V - 250 V 400 V
Befestigungsart Through Hole - Through Hole Through Hole
Paket Tube Bulk Tube Tube

FQP2N80 Datenblatt PDF

Laden Sie FQP2N80 PDF -Datenblätter und onsemi -Dokumentation für FQP2N80 - onsemi herunter.

Umweltinformationen
onsemi RoHS.pdf
PCN -Design/Spezifikation
Logo 17/Aug/2017.pdf
PCN -Verpackung
Mult Devices 24/Oct/2017.pdf Tape and Box/Reel Barcode Update 07/Aug/2014.pdf
Datenblätter
TO220B03 Pkg Drawing.pdf
PCN -Baugruppe/Herkunft
Mult Dev Asembly Chg 7/May/2020.pdf

Lieferung

Lieferzeit

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Versandart

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Logistische Zeitreferenz für Gemeinsame Länder
Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
Naher Osten Israel 6
DHL & FedEx -Versandkosten Referenz
Versandkosten (KG) Referenz DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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