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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-EinzelFQP2P25
FQP2P25 Image
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FQP2P25 - onsemi

Hersteller Artikelnummer
FQP2P25
Hersteller
onsemi
Allelco Artikelnummer
32D-FQP2P25
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
MOSFET P-CH 250V 2.3A TO220-3
detaillierte Beschreibung
Verpackung
TO-220-3
Datenblatt
TO220B03 Pkg Drawing.pdf
FQP2P25.pdf
vorrätig: 4430

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Anzahl

Spezifikation

FQP2P25 Tech -Spezifikationen
onsemi - FQP2P25 Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie onsemi - FQP2P25

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller onsemi  
VGS (th) (Max) @ Id 5V @ 250µA  
Vgs (Max) ±30V  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse TO-220-3  
Serie QFET®  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 4Ohm @ 1.15A, 10V  
Verlustleistung (max) 52W (Tc)  
Verpackung / Gehäuse TO-220-3  
Paket Tube  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)  
Befestigungsart Through Hole  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 250 pF @ 25 V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 8.5 nC @ 10 V  
Typ FET P-Channel  
FET-Merkmal -  
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 250 V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 2.3A (Tc)  
Grundproduktnummer FQP2  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie onsemi FQP2P25.

Produkteigenschaften FQP2P25 FQP2P40 FQP2N60C FQP30N06
Artikelnummer FQP2P25 FQP2P40 FQP2N60C FQP30N06
Hersteller onsemi onsemi onsemi onsemi
Serie QFET® QFET® QFET® QFET®
Supplier Device-Gehäuse TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3
Verlustleistung (max) 52W (Tc) 63W (Tc) 54W (Tc) 79W (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V 10V 10V 10V
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 250 pF @ 25 V 350 pF @ 25 V 235 pF @ 25 V 945 pF @ 25 V
Drain-Source-Spannung (Vdss) 250 V 400 V 600 V 60 V
Paket Tube Tube Tube Tube
Vgs (Max) ±30V ±30V ±30V ±25V
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 2.3A (Tc) 2A (Tc) 2A (Tc) 30A (Tc)
Befestigungsart Through Hole Through Hole Through Hole Through Hole
Typ FET P-Channel P-Channel N-Channel N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 8.5 nC @ 10 V 13 nC @ 10 V 12 nC @ 10 V 25 nC @ 10 V
FET-Merkmal - - - -
Rds On (Max) @ Id, Vgs 4Ohm @ 1.15A, 10V 6.5Ohm @ 1A, 10V 4.7Ohm @ 1A, 10V 40mOhm @ 15A, 10V
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ)
VGS (th) (Max) @ Id 5V @ 250µA 5V @ 250µA 4V @ 250µA 4V @ 250µA
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Verpackung / Gehäuse TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3
Grundproduktnummer FQP2 FQP2 FQP2 FQP30

FQP2P25 Datenblatt PDF

Laden Sie FQP2P25 PDF -Datenblätter und onsemi -Dokumentation für FQP2P25 - onsemi herunter.

Umweltinformationen
onsemi RoHS.pdf
Datenblätter
TO220B03 Pkg Drawing.pdf FQP2P25.pdf

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Lieferzeit

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Versandkosten

  1. Verwenden Sie Ihr Expresskonto für den Versand, wenn Sie einen haben.
  2. Verwenden Sie unser Konto für die Sendung.In der folgenden Tabelle finden Sie die ungefähren Gebühren.
(Unterschiedlicher Zeitrahmen / Länder / Paketgröße hat einen unterschiedlichen Preis.)

Versandart

  1. Globale gemeinsame Versand von DHL / UPS / FEDEX / TNT / EMS / SF, die wir unterstützen.
  2. Andere Versandmethoden, bitte setzen Sie sich mit Ihrem Kundenmanager in Verbindung.

Logistische Zeitreferenz für Gemeinsame Länder
Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
Naher Osten Israel 6
DHL & FedEx -Versandkosten Referenz
Versandkosten (KG) Referenz DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
Notiz:
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Kontaktieren Sie uns, wenn Sie Fragen haben.

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Als Zahlungsmittel stehen folgende Mitteln zur Wahl: T/T, Banküberweisung, Westunion-Überweisung, Kreditkarte, PayPal.

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  1. Telefon
    +00852 9146 4856

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