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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-EinzelFQP44N10
FQP44N10 Image
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FQP44N10 - onsemi

Hersteller Artikelnummer
FQP44N10
Hersteller
onsemi
Allelco Artikelnummer
32D-FQP44N10
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
MOSFET N-CH 100V 43.5A TO220-3
detaillierte Beschreibung
Verpackung
TO-220-3
Datenblatt
TO220B03 Pkg Drawing.pdf
RoHS Status
vorrätig: 48850

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Anzahl

Spezifikation

FQP44N10 Tech -Spezifikationen
onsemi - FQP44N10 Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie onsemi - FQP44N10

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller onsemi  
VGS (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA  
Vgs (Max) ±25V  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse TO-220-3  
Serie QFET®  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 39mOhm @ 21.75A, 10V  
Verlustleistung (max) 146W (Tc)  
Verpackung / Gehäuse TO-220-3  
Paket Tube  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ)  
Befestigungsart Through Hole  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 1800 pF @ 25 V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 62 nC @ 10 V  
Typ FET N-Channel  
FET-Merkmal -  
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 100 V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 43.5A (Tc)  
Grundproduktnummer FQP44  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie onsemi FQP44N10.

Produkteigenschaften FQP44N10 FQP3N90 FQP3P50 FQP44N10
Artikelnummer FQP44N10 FQP3N90 FQP3P50 FQP44N10
Hersteller onsemi Fairchild Semiconductor Fairchild Semiconductor Fairchild Semiconductor
Paket Tube Tube Bulk Bulk
Rds On (Max) @ Id, Vgs 39mOhm @ 21.75A, 10V 4.25Ohm @ 1.8A, 10V 4.9Ohm @ 1.35A, 10V 39mOhm @ 21.75A, 10V
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 43.5A (Tc) 3.6A (Tc) 2.7A (Tc) 43.5A (Tc)
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 1800 pF @ 25 V 910 pF @ 25 V 660 pF @ 25 V 1800 pF @ 25 V
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V 10V 10V 10V
Grundproduktnummer FQP44 - - -
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ)
VGS (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA 5V @ 250µA 5V @ 250µA 4V @ 250µA
Supplier Device-Gehäuse TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3
Vgs (Max) ±25V ±30V ±30V ±25V
Serie QFET® QFET® QFET® QFET®
Typ FET N-Channel N-Channel P-Channel N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 62 nC @ 10 V 26 nC @ 10 V 23 nC @ 10 V 62 nC @ 10 V
FET-Merkmal - - - -
Verlustleistung (max) 146W (Tc) 130W (Tc) 85W (Tc) 146W (Tc)
Drain-Source-Spannung (Vdss) 100 V 900 V 500 V 100 V
Befestigungsart Through Hole Through Hole Through Hole Through Hole
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Verpackung / Gehäuse TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3

FQP44N10 Datenblatt PDF

Laden Sie FQP44N10 PDF -Datenblätter und onsemi -Dokumentation für FQP44N10 - onsemi herunter.

Umweltinformationen
onsemi RoHS.pdf
PCN -Design/Spezifikation
Logo 17/Aug/2017.pdf
PCN -Verpackung
Mult Devices 24/Oct/2017.pdf
Datenblätter
TO220B03 Pkg Drawing.pdf
PCN -Baugruppe/Herkunft
MFG Site Addition 09/Mar/2020.pdf
PCN -Obsoleszenz/ EOL
Mult Dev EOL 30/Jun/2022.pdf

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Logistische Zeitreferenz für Gemeinsame Länder
Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
Naher Osten Israel 6
DHL & FedEx -Versandkosten Referenz
Versandkosten (KG) Referenz DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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