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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-EinzelFQP45N15V2
FQP45N15V2 Image
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FQP45N15V2 - onsemi

Hersteller Artikelnummer
FQP45N15V2
Hersteller
onsemi
Allelco Artikelnummer
32D-FQP45N15V2
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
MOSFET N-CH 150V 45A TO220-3
detaillierte Beschreibung
Verpackung
TO-220-3
Datenblatt
TO220B03 Pkg Drawing.pdf
FQP45N15V2, FQPF45N15V2.pdf
RoHS Status
vorrätig: 39876

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Anzahl

Spezifikation

FQP45N15V2 Tech -Spezifikationen
onsemi - FQP45N15V2 Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie onsemi - FQP45N15V2

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller onsemi  
VGS (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA  
Vgs (Max) ±30V  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse TO-220-3  
Serie QFET®  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 40mOhm @ 22.5A, 10V  
Verlustleistung (max) 220W (Tc)  
Verpackung / Gehäuse TO-220-3  
Paket Tube  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)  
Befestigungsart Through Hole  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 3030 pF @ 25 V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 94 nC @ 10 V  
Typ FET N-Channel  
FET-Merkmal -  
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 150 V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 45A (Tc)  
Grundproduktnummer FQP45  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie onsemi FQP45N15V2.

Produkteigenschaften FQP45N15V2 FQP44N10 FQP4N20 FQP46N15
Artikelnummer FQP45N15V2 FQP44N10 FQP4N20 FQP46N15
Hersteller onsemi Fairchild Semiconductor onsemi onsemi
FET-Merkmal - - - -
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V 10V 10V 10V
Typ FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 94 nC @ 10 V 62 nC @ 10 V 6.5 nC @ 10 V 110 nC @ 10 V
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ)
Serie QFET® QFET® QFET® QFET®
Befestigungsart Through Hole Through Hole Through Hole Through Hole
Grundproduktnummer FQP45 - FQP4 FQP46
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 3030 pF @ 25 V 1800 pF @ 25 V 220 pF @ 25 V 3250 pF @ 25 V
Vgs (Max) ±30V ±25V ±30V ±25V
Verpackung / Gehäuse TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3
Verlustleistung (max) 220W (Tc) 146W (Tc) 45W (Tc) 210W (Tc)
Paket Tube Bulk Tube Tube
VGS (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA 4V @ 250µA 5V @ 250µA 4V @ 250µA
Drain-Source-Spannung (Vdss) 150 V 100 V 200 V 150 V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 40mOhm @ 22.5A, 10V 39mOhm @ 21.75A, 10V 1.4Ohm @ 1.8A, 10V 42mOhm @ 22.8A, 10V
Supplier Device-Gehäuse TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 45A (Tc) 43.5A (Tc) 3.6A (Tc) 45.6A (Tc)

FQP45N15V2 Datenblatt PDF

Laden Sie FQP45N15V2 PDF -Datenblätter und onsemi -Dokumentation für FQP45N15V2 - onsemi herunter.

Umweltinformationen
onsemi REACH.pdf onsemi RoHS.pdf
PCN -Design/Spezifikation
Logo 17/Aug/2017.pdf
PCN -Verpackung
Mult Devices 24/Oct/2017.pdf Tape and Box/Reel Barcode Update 07/Aug/2014.pdf
Datenblätter
TO220B03 Pkg Drawing.pdf FQP45N15V2, FQPF45N15V2.pdf
PCN -Baugruppe/Herkunft
Mult Dev A/T Chgs 17/Mar/2023.pdf

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Logistische Zeitreferenz für Gemeinsame Länder
Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
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Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
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DHL & FedEx -Versandkosten Referenz
Versandkosten (KG) Referenz DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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