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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-EinzelFQP55N10
FQP55N10 Image
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FQP55N10 - onsemi

Hersteller Artikelnummer
FQP55N10
Hersteller
onsemi
Allelco Artikelnummer
32D-FQP55N10
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
MOSFET N-CH 100V 55A TO220-3
detaillierte Beschreibung
Verpackung
TO-220-3
Datenblatt
TO220B03 Pkg Drawing.pdf
FQP55N10.pdf
RoHS Status
vorrätig: 33185

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Anzahl

Spezifikation

FQP55N10 Tech -Spezifikationen
onsemi - FQP55N10 Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie onsemi - FQP55N10

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller onsemi  
VGS (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA  
Vgs (Max) ±25V  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse TO-220-3  
Serie QFET®  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 26mOhm @ 27.5A, 10V  
Verlustleistung (max) 155W (Tc)  
Verpackung / Gehäuse TO-220-3  
Paket Tube  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ)  
Befestigungsart Through Hole  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 2730 pF @ 25 V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 98 nC @ 10 V  
Typ FET N-Channel  
FET-Merkmal -  
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 100 V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 55A (Tc)  
Grundproduktnummer FQP55  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie onsemi FQP55N10.

Produkteigenschaften FQP55N10 FQP50N06L FQP5N20L FQP50N06
Artikelnummer FQP55N10 FQP50N06L FQP5N20L FQP50N06
Hersteller onsemi Fairchild Semiconductor onsemi onsemi
Befestigungsart Through Hole Through Hole Through Hole Through Hole
FET-Merkmal - - - -
Vgs (Max) ±25V ±20V ±20V ±25V
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Typ FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Grundproduktnummer FQP55 - FQP5 FQP50
Rds On (Max) @ Id, Vgs 26mOhm @ 27.5A, 10V 21mOhm @ 26.2A, 10V 1.2Ohm @ 2.25A, 10V 22mOhm @ 25A, 10V
VGS (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA 2.5V @ 250µA 2V @ 250µA 4V @ 250µA
Verlustleistung (max) 155W (Tc) 121W (Tc) 52W (Tc) 120W (Tc)
Supplier Device-Gehäuse TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3
Paket Tube Bulk Tube Tube
Drain-Source-Spannung (Vdss) 100 V 60 V 200 V 60 V
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V 5V, 10V 5V, 10V 10V
Serie QFET® QFET® QFET® QFET®
Verpackung / Gehäuse TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 98 nC @ 10 V 32 nC @ 5 V 6.2 nC @ 5 V 41 nC @ 10 V
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 55A (Tc) 52.4A (Tc) 4.5A (Tc) 50A (Tc)
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 2730 pF @ 25 V 1630 pF @ 25 V 325 pF @ 25 V 1540 pF @ 25 V
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ)

FQP55N10 Datenblatt PDF

Laden Sie FQP55N10 PDF -Datenblätter und onsemi -Dokumentation für FQP55N10 - onsemi herunter.

Umweltinformationen
onsemi RoHS.pdf
PCN -Design/Spezifikation
Logo 17/Aug/2017.pdf
PCN -Verpackung
Mult Devices 24/Oct/2017.pdf Tape and Box/Reel Barcode Update 07/Aug/2014.pdf
Datenblätter
TO220B03 Pkg Drawing.pdf FQP55N10.pdf
PCN -Baugruppe/Herkunft
MFG Site Addition 09/Mar/2020.pdf
PCN -Obsoleszenz/ EOL
Mult Dev EOL 30/Jun/2022.pdf

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Logistische Zeitreferenz für Gemeinsame Länder
Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
Naher Osten Israel 6
DHL & FedEx -Versandkosten Referenz
Versandkosten (KG) Referenz DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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