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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-EinzelFQP58N08
FQP58N08 Image
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FQP58N08 - onsemi

Hersteller Artikelnummer
FQP58N08
Hersteller
onsemi
Allelco Artikelnummer
32D-FQP58N08
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
MOSFET N-CH 80V 57.5A TO220-3
detaillierte Beschreibung
Verpackung
TO-220-3
Datenblatt
TO220B03 Pkg Drawing.pdf
FQP58N08.pdf
vorrätig: 5050

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Anzahl

Spezifikation

FQP58N08 Tech -Spezifikationen
onsemi - FQP58N08 Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie onsemi - FQP58N08

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller onsemi  
VGS (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA  
Vgs (Max) ±25V  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse TO-220-3  
Serie QFET®  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 24mOhm @ 28.75A, 10V  
Verlustleistung (max) 146W (Tc)  
Verpackung / Gehäuse TO-220-3  
Paket Tube  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ)  
Befestigungsart Through Hole  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 1900 pF @ 25 V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 65 nC @ 10 V  
Typ FET N-Channel  
FET-Merkmal -  
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 80 V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 57.5A (Tc)  
Grundproduktnummer FQP5  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie onsemi FQP58N08.

Produkteigenschaften FQP58N08 FQP50N06L FQP5N20 FQP55N06
Artikelnummer FQP58N08 FQP50N06L FQP5N20 FQP55N06
Hersteller onsemi onsemi onsemi Fairchild Semiconductor
Supplier Device-Gehäuse TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3
Drain-Source-Spannung (Vdss) 80 V 60 V 200 V 60 V
Grundproduktnummer FQP5 FQP50 FQP5 -
Typ FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V 5V, 10V 10V 10V
Verlustleistung (max) 146W (Tc) 121W (Tc) 52W (Tc) 133W (Tc)
FET-Merkmal - - - -
Befestigungsart Through Hole Through Hole Through Hole Through Hole
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ)
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 57.5A (Tc) 52.4A (Tc) 4.5A (Tc) 55A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 24mOhm @ 28.75A, 10V 21mOhm @ 26.2A, 10V 1.2Ohm @ 2.25A, 10V 20mOhm @ 27.5A, 10V
Paket Tube Tube Tube Tube
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 65 nC @ 10 V 32 nC @ 5 V 7.5 nC @ 10 V 46 nC @ 10 V
Vgs (Max) ±25V ±20V ±30V ±25V
VGS (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA 2.5V @ 250µA 5V @ 250µA 4V @ 250µA
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 1900 pF @ 25 V 1630 pF @ 25 V 270 pF @ 25 V 1690 pF @ 25 V
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Verpackung / Gehäuse TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3
Serie QFET® QFET® QFET® QFET®

FQP58N08 Datenblatt PDF

Laden Sie FQP58N08 PDF -Datenblätter und onsemi -Dokumentation für FQP58N08 - onsemi herunter.

Umweltinformationen
onsemi REACH.pdf onsemi RoHS.pdf
Datenblätter
TO220B03 Pkg Drawing.pdf FQP58N08.pdf

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Versandkosten

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  2. Verwenden Sie unser Konto für die Sendung.In der folgenden Tabelle finden Sie die ungefähren Gebühren.
(Unterschiedlicher Zeitrahmen / Länder / Paketgröße hat einen unterschiedlichen Preis.)

Versandart

  1. Globale gemeinsame Versand von DHL / UPS / FEDEX / TNT / EMS / SF, die wir unterstützen.
  2. Andere Versandmethoden, bitte setzen Sie sich mit Ihrem Kundenmanager in Verbindung.

Logistische Zeitreferenz für Gemeinsame Länder
Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
Naher Osten Israel 6
DHL & FedEx -Versandkosten Referenz
Versandkosten (KG) Referenz DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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