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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-EinzelFQPF3N80C
FQPF3N80C Image
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FQPF3N80C - onsemi

Hersteller Artikelnummer
FQPF3N80C
Hersteller
onsemi
Allelco Artikelnummer
32D-FQPF3N80C
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
MOSFET N-CH 800V 3A TO220F
detaillierte Beschreibung
Verpackung
TO-220-3 Full Pack
Datenblatt
FQP3N80C, FQPF3N80C.pdf
RoHS Status
vorrätig: 49690

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Anzahl

Spezifikation

FQPF3N80C Tech -Spezifikationen
onsemi - FQPF3N80C Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie onsemi - FQPF3N80C

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller onsemi  
VGS (th) (Max) @ Id 5V @ 250µA  
Vgs (Max) ±30V  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse TO-220F-3  
Serie QFET®  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 4.8Ohm @ 1.5A, 10V  
Verlustleistung (max) 39W (Tc)  
Verpackung / Gehäuse TO-220-3 Full Pack  
Paket Tube  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)  
Befestigungsart Through Hole  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 705 pF @ 25 V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 16.5 nC @ 10 V  
Typ FET N-Channel  
FET-Merkmal -  
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 800 V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 3A (Tc)  
Grundproduktnummer FQPF3  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie onsemi FQPF3N80C.

Produkteigenschaften FQPF3N80C FQPF45N15V2 FQPF44N10 FQPF3N90
Artikelnummer FQPF3N80C FQPF45N15V2 FQPF44N10 FQPF3N90
Hersteller onsemi onsemi onsemi Fairchild Semiconductor
Grundproduktnummer FQPF3 FQPF4 FQPF4 -
Paket Tube Tube Tube Tube
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V 10V 10V 10V
FET-Merkmal - - - -
VGS (th) (Max) @ Id 5V @ 250µA 4V @ 250µA 4V @ 250µA 5V @ 250µA
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 3A (Tc) 45A (Tc) 27A (Tc) 2.1A (Tc)
Verlustleistung (max) 39W (Tc) 66W (Tc) 55W (Tc) 43W (Tc)
Verpackung / Gehäuse TO-220-3 Full Pack TO-220-3 Full Pack TO-220-3 Full Pack TO-220-3 Full Pack
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 4.8Ohm @ 1.5A, 10V 40mOhm @ 22.5A, 10V 39mOhm @ 13.5A, 10V 4.25Ohm @ 1.05A, 10V
Vgs (Max) ±30V ±30V ±25V ±30V
Supplier Device-Gehäuse TO-220F-3 TO-220F-3 TO-220F-3 TO-220F-3
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 705 pF @ 25 V 3030 pF @ 25 V 1800 pF @ 25 V 910 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 16.5 nC @ 10 V 94 nC @ 10 V 62 nC @ 10 V 26 nC @ 10 V
Typ FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Serie QFET® QFET® QFET® QFET®
Befestigungsart Through Hole Through Hole Through Hole Through Hole
Drain-Source-Spannung (Vdss) 800 V 150 V 100 V 900 V

FQPF3N80C Datenblatt PDF

Laden Sie FQPF3N80C PDF -Datenblätter und onsemi -Dokumentation für FQPF3N80C - onsemi herunter.

Umweltinformationen
onsemi REACH.pdf onsemi RoHS.pdf
PCN -Design/Spezifikation
Logo 17/Aug/2017.pdf Passivation Material 26/June/2007.pdf
PCN -Verpackung
Mult Devices 24/Oct/2017.pdf Tape and Box/Reel Barcode Update 07/Aug/2014.pdf
PCN -Baugruppe/Herkunft
Assembly/Test Site 14/Dec/2022.pdf
Datenblätter
FQP3N80C, FQPF3N80C.pdf

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Logistische Zeitreferenz für Gemeinsame Länder
Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
Naher Osten Israel 6
DHL & FedEx -Versandkosten Referenz
Versandkosten (KG) Referenz DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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