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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-EinzelFQPF45N15V2
FQPF45N15V2 Image
Das Bild steht nur zum Referenz. Für detaillierte Produktinfos bitte die Produktdaten einsehen

FQPF45N15V2 - onsemi

Hersteller Artikelnummer
FQPF45N15V2
Hersteller
onsemi
Allelco Artikelnummer
32D-FQPF45N15V2
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
MOSFET N-CH 150V 45A TO220F
detaillierte Beschreibung
Verpackung
TO-220-3 Full Pack
Datenblatt
FQP45N15V2, FQPF45N15V2.pdf
RoHS Status
vorrätig: 4930

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Anzahl

Spezifikation

FQPF45N15V2 Tech -Spezifikationen
onsemi - FQPF45N15V2 Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie onsemi - FQPF45N15V2

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller onsemi  
VGS (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA  
Vgs (Max) ±30V  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse TO-220F-3  
Serie QFET®  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 40mOhm @ 22.5A, 10V  
Verlustleistung (max) 66W (Tc)  
Verpackung / Gehäuse TO-220-3 Full Pack  
Paket Tube  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)  
Befestigungsart Through Hole  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 3030 pF @ 25 V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 94 nC @ 10 V  
Typ FET N-Channel  
FET-Merkmal -  
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 150 V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 45A (Tc)  
Grundproduktnummer FQPF4  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie onsemi FQPF45N15V2.

Produkteigenschaften FQPF45N15V2 FQPF47P06YDTU FQPF3N80C FQPF46N15
Artikelnummer FQPF45N15V2 FQPF47P06YDTU FQPF3N80C FQPF46N15
Hersteller onsemi Fairchild Semiconductor onsemi onsemi
Typ FET N-Channel P-Channel N-Channel N-Channel
FET-Merkmal - - - -
Verpackung / Gehäuse TO-220-3 Full Pack TO-220-3 Full Pack, Formed Leads TO-220-3 Full Pack TO-220-3 Full Pack
VGS (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA 4V @ 250µA 5V @ 250µA 4V @ 250µA
Vgs (Max) ±30V ±25V ±30V ±25V
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V 10V 10V 10V
Serie QFET® QFET® QFET® QFET®
Supplier Device-Gehäuse TO-220F-3 TO-220F-3 (Y-Forming) TO-220F-3 TO-220F-3
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 3030 pF @ 25 V 3600 pF @ 25 V 705 pF @ 25 V 3250 pF @ 25 V
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ)
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Paket Tube Bulk Tube Tube
Verlustleistung (max) 66W (Tc) 62W (Tc) 39W (Tc) 66W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 40mOhm @ 22.5A, 10V 26mOhm @ 15A, 10V 4.8Ohm @ 1.5A, 10V 42mOhm @ 12.8A, 10V
Grundproduktnummer FQPF4 - FQPF3 FQPF4
Befestigungsart Through Hole Through Hole Through Hole Through Hole
Drain-Source-Spannung (Vdss) 150 V 60 V 800 V 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 94 nC @ 10 V 110 nC @ 10 V 16.5 nC @ 10 V 110 nC @ 10 V
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 45A (Tc) 30A (Tc) 3A (Tc) 25.6A (Tc)

FQPF45N15V2 Datenblatt PDF

Laden Sie FQPF45N15V2 PDF -Datenblätter und onsemi -Dokumentation für FQPF45N15V2 - onsemi herunter.

Umweltinformationen
onsemi REACH.pdf onsemi RoHS.pdf
PCN -Design/Spezifikation
Logo 17/Aug/2017.pdf
PCN -Verpackung
Mult Devices 24/Oct/2017.pdf
PCN -Obsoleszenz/ EOL
Mult Dev EOL 23/Dec/2021.pdf
Datenblätter
FQP45N15V2, FQPF45N15V2.pdf

Lieferung

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Logistische Zeitreferenz für Gemeinsame Länder
Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
Naher Osten Israel 6
DHL & FedEx -Versandkosten Referenz
Versandkosten (KG) Referenz DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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    +00852 9146 4856

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FQPF45N15V2

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