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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-EinzelFQPF7N80C
FQPF7N80C Image
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FQPF7N80C - onsemi

Hersteller Artikelnummer
FQPF7N80C
Hersteller
onsemi
Allelco Artikelnummer
32D-FQPF7N80C
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
MOSFET N-CH 800V 6.6A TO220F
detaillierte Beschreibung
Verpackung
TO-220-3 Full Pack
Datenblatt
FQPF7N80C.pdf
RoHS Status
vorrätig: 4040

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Anzahl

Spezifikation

FQPF7N80C Tech -Spezifikationen
onsemi - FQPF7N80C Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie onsemi - FQPF7N80C

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller onsemi  
VGS (th) (Max) @ Id 5V @ 250µA  
Vgs (Max) ±30V  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse TO-220F-3  
Serie QFET®  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 1.9Ohm @ 3.3A, 10V  
Verlustleistung (max) 56W (Tc)  
Verpackung / Gehäuse TO-220-3 Full Pack  
Paket Tube  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)  
Befestigungsart Through Hole  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 1680 pF @ 25 V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 35 nC @ 10 V  
Typ FET N-Channel  
FET-Merkmal -  
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 800 V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 6.6A (Tc)  
Grundproduktnummer FQPF7  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie onsemi FQPF7N80C.

Produkteigenschaften FQPF7N80C FQPF7N65C FQPF7N60 FQPF7P06
Artikelnummer FQPF7N80C FQPF7N65C FQPF7N60 FQPF7P06
Hersteller onsemi onsemi Fairchild Semiconductor Fairchild Semiconductor
Grundproduktnummer FQPF7 FQPF7 - -
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ)
Typ FET N-Channel N-Channel N-Channel P-Channel
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V 10V 10V 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 35 nC @ 10 V 36 nC @ 10 V 38 nC @ 10 V 8.2 nC @ 10 V
Paket Tube Tube Bulk Tube
Supplier Device-Gehäuse TO-220F-3 TO-220F-3 TO-220F-3 TO-220F-3
Verpackung / Gehäuse TO-220-3 Full Pack TO-220-3 Full Pack TO-220-3 Full Pack TO-220-3 Full Pack
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 1680 pF @ 25 V 1245 pF @ 25 V 1430 pF @ 25 V 295 pF @ 25 V
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 6.6A (Tc) 7A (Tc) 4.3A (Tc) 5.3A (Tc)
VGS (th) (Max) @ Id 5V @ 250µA 4V @ 250µA 5V @ 250µA 4V @ 250µA
Rds On (Max) @ Id, Vgs 1.9Ohm @ 3.3A, 10V 1.4Ohm @ 3.5A, 10V 1Ohm @ 2.2A, 10V 410mOhm @ 2.65A, 10V
Drain-Source-Spannung (Vdss) 800 V 650 V 600 V 60 V
Verlustleistung (max) 56W (Tc) 52W (Tc) 48W (Tc) 24W (Tc)
Serie QFET® - QFET® QFET®
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±30V ±30V ±30V ±25V
Befestigungsart Through Hole Through Hole Through Hole Through Hole
FET-Merkmal - - - -

FQPF7N80C Datenblatt PDF

Laden Sie FQPF7N80C PDF -Datenblätter und onsemi -Dokumentation für FQPF7N80C - onsemi herunter.

Umweltinformationen
onsemi REACH.pdf onsemi RoHS.pdf
PCN -Design/Spezifikation
Logo 17/Aug/2017.pdf Passivation Material 26/June/2007.pdf
PCN -Verpackung
Mult Devices 24/Oct/2017.pdf
PCN -Obsoleszenz/ EOL
Mult Dev EOL 23/Dec/2021.pdf

Lieferung

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Versandart

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  2. Andere Versandmethoden, bitte setzen Sie sich mit Ihrem Kundenmanager in Verbindung.

Logistische Zeitreferenz für Gemeinsame Länder
Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
Naher Osten Israel 6
DHL & FedEx -Versandkosten Referenz
Versandkosten (KG) Referenz DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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    +00852 9146 4856

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32D-FQPF7N80C

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