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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-EinzelFQPF7P06
FQPF7P06 Image
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FQPF7P06 - onsemi

Hersteller Artikelnummer
FQPF7P06
Hersteller
onsemi
Allelco Artikelnummer
32D-FQPF7P06
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
MOSFET P-CH 60V 5.3A TO220F
detaillierte Beschreibung
Verpackung
TO-220-3 Full Pack
Datenblatt
FQPF7P06.pdf
vorrätig: 3910

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Anzahl

Spezifikation

FQPF7P06 Tech -Spezifikationen
onsemi - FQPF7P06 Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie onsemi - FQPF7P06

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller onsemi  
VGS (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA  
Vgs (Max) ±25V  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse TO-220F-3  
Serie QFET®  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 410mOhm @ 2.65A, 10V  
Verlustleistung (max) 24W (Tc)  
Verpackung / Gehäuse TO-220-3 Full Pack  
Paket Tube  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ)  
Befestigungsart Through Hole  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 295 pF @ 25 V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 8.2 nC @ 10 V  
Typ FET P-Channel  
FET-Merkmal -  
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 60 V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 5.3A (Tc)  
Grundproduktnummer FQPF7  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie onsemi FQPF7P06.

Produkteigenschaften FQPF7P06 FQPF7N80C FQPF85N06 FQPF8N60CFT
Artikelnummer FQPF7P06 FQPF7N80C FQPF85N06 FQPF8N60CFT
Hersteller onsemi onsemi onsemi onsemi
Rds On (Max) @ Id, Vgs 410mOhm @ 2.65A, 10V 1.9Ohm @ 3.3A, 10V 10mOhm @ 26.5A, 10V 1.5Ohm @ 3.13A, 10V
Verlustleistung (max) 24W (Tc) 56W (Tc) 62W (Tc) 48W (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V 10V 10V 10V
Vgs (Max) ±25V ±30V ±25V ±30V
Serie QFET® QFET® QFET® FRFET®
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 295 pF @ 25 V 1680 pF @ 25 V 4120 pF @ 25 V 1255 pF @ 25 V
Befestigungsart Through Hole Through Hole Through Hole Through Hole
Paket Tube Tube Tube Tube
Grundproduktnummer FQPF7 FQPF7 FQPF85 FQPF8
Supplier Device-Gehäuse TO-220F-3 TO-220F-3 TO-220F-3 TO-220F-3
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 5.3A (Tc) 6.6A (Tc) 53A (Tc) 6.26A (Tc)
FET-Merkmal - - - -
Typ FET P-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 8.2 nC @ 10 V 35 nC @ 10 V 112 nC @ 10 V 36 nC @ 10 V
VGS (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA 5V @ 250µA 4V @ 250µA 4V @ 250µA
Verpackung / Gehäuse TO-220-3 Full Pack TO-220-3 Full Pack TO-220-3 Full Pack TO-220-3 Full Pack
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss) 60 V 800 V 60 V 600 V

FQPF7P06 Datenblatt PDF

Laden Sie FQPF7P06 PDF -Datenblätter und onsemi -Dokumentation für FQPF7P06 - onsemi herunter.

Umweltinformationen
onsemi REACH.pdf onsemi RoHS.pdf
Datenblätter
FQPF7P06.pdf

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Lieferzeit

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Versandkosten

  1. Verwenden Sie Ihr Expresskonto für den Versand, wenn Sie einen haben.
  2. Verwenden Sie unser Konto für die Sendung.In der folgenden Tabelle finden Sie die ungefähren Gebühren.
(Unterschiedlicher Zeitrahmen / Länder / Paketgröße hat einen unterschiedlichen Preis.)

Versandart

  1. Globale gemeinsame Versand von DHL / UPS / FEDEX / TNT / EMS / SF, die wir unterstützen.
  2. Andere Versandmethoden, bitte setzen Sie sich mit Ihrem Kundenmanager in Verbindung.

Logistische Zeitreferenz für Gemeinsame Länder
Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
Naher Osten Israel 6
DHL & FedEx -Versandkosten Referenz
Versandkosten (KG) Referenz DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
Notiz:
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Als Zahlungsmittel stehen folgende Mitteln zur Wahl: T/T, Banküberweisung, Westunion-Überweisung, Kreditkarte, PayPal.

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    +00852 9146 4856

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