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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-EinzelFQU10N20CTU
onsemi
Das Bild steht nur zum Referenz. Für detaillierte Produktinfos bitte die Produktdaten einsehen

FQU10N20CTU - onsemi

Hersteller Artikelnummer
FQU10N20CTU
Hersteller
onsemi
Allelco Artikelnummer
32D-FQU10N20CTU
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
MOSFET N-CH 200V 7.8A IPAK
detaillierte Beschreibung
Verpackung
TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Datenblatt
FQD/ FQU10N20C.pdf
RoHS Status
vorrätig: 123790

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Anzahl

Spezifikation

FQU10N20CTU Tech -Spezifikationen
onsemi - FQU10N20CTU Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie onsemi - FQU10N20CTU

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller onsemi  
VGS (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA  
Vgs (Max) ±30V  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse I-PAK  
Serie QFET®  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 360mOhm @ 3.9A, 10V  
Verlustleistung (max) 50W (Tc)  
Verpackung / Gehäuse TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA  
Paket Tube  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)  
Befestigungsart Through Hole  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 510 pF @ 25 V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 26 nC @ 10 V  
Typ FET N-Channel  
FET-Merkmal -  
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 200 V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 7.8A (Tc)  
Grundproduktnummer FQU10N20  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie onsemi FQU10N20CTU.

Produkteigenschaften FQU10N20CTU FQU12N20TU FQU10N20LTU FQU10N20LTU
Artikelnummer FQU10N20CTU FQU12N20TU FQU10N20LTU FQU10N20LTU
Hersteller onsemi onsemi onsemi Fairchild Semiconductor
Verpackung / Gehäuse TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Drain-Source-Spannung (Vdss) 200 V 200 V 200 V 200 V
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 510 pF @ 25 V 910 pF @ 25 V 830 pF @ 25 V 830 pF @ 25 V
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 7.8A (Tc) 9A (Tc) 7.6A (Tc) 7.6A (Tc)
Befestigungsart Through Hole Through Hole Through Hole Through Hole
Rds On (Max) @ Id, Vgs 360mOhm @ 3.9A, 10V 280mOhm @ 4.5A, 10V 360mOhm @ 3.8A, 10V 360mOhm @ 3.8A, 10V
Vgs (Max) ±30V ±30V ±20V ±20V
Verlustleistung (max) 50W (Tc) 2.5W (Ta), 55W (Tc) 2.5W (Ta), 51W (Tc) 2.5W (Ta), 51W (Tc)
Typ FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V 10V 5V, 10V 5V, 10V
FET-Merkmal - - - -
Supplier Device-Gehäuse I-PAK I-PAK I-PAK I-PAK
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 26 nC @ 10 V 23 nC @ 10 V 17 nC @ 5 V 17 nC @ 5 V
Paket Tube Tube Tube Tube
Grundproduktnummer FQU10N20 FQU12N20 FQU1 -
Serie QFET® QFET® QFET® QFET®
VGS (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA 5V @ 250µA 2V @ 250µA 2V @ 250µA

FQU10N20CTU Datenblatt PDF

Laden Sie FQU10N20CTU PDF -Datenblätter und onsemi -Dokumentation für FQU10N20CTU - onsemi herunter.

Umweltinformationen
onsemi REACH.pdf onsemi RoHS.pdf
PCN -Design/Spezifikation
Logo 17/Aug/2017.pdf
PCN -Verpackung
Mult Devices 24/Oct/2017.pdf Tape and Box/Reel Barcode Update 07/Aug/2014.pdf
PCN -Obsoleszenz/ EOL
Mult Dev EOL 30/Jun/2022.pdf
PCN -Baugruppe/Herkunft
Mult Dev Assembly Chg 20/Dec/2019.pdf
Datenblätter
FQD/ FQU10N20C.pdf

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Logistische Zeitreferenz für Gemeinsame Länder
Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
Naher Osten Israel 6
DHL & FedEx -Versandkosten Referenz
Versandkosten (KG) Referenz DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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