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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-EinzelFQU11P06TU
Fairchild Semiconductor
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FQU11P06TU - Fairchild Semiconductor

Hersteller Artikelnummer
FQU11P06TU
Hersteller
Fairchild (onsemi)
Allelco Artikelnummer
32D-FQU11P06TU
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 9
detaillierte Beschreibung
Verpackung
TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Datenblatt
FQU11P06TU.pdf
vorrätig: 4340

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Spezifikation

FQU11P06TU Tech -Spezifikationen
Fairchild Semiconductor - FQU11P06TU Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Fairchild Semiconductor - FQU11P06TU

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller Fairchild (onsemi)  
VGS (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA  
Vgs (Max) ±30V  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse I-PAK  
Serie QFET®  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 185mOhm @ 4.7A, 10V  
Verlustleistung (max) 2.5W (Ta), 38W (Tc)  
Verpackung / Gehäuse TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA  
Paket Bulk  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)  
Befestigungsart Through Hole  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 550 pF @ 25 V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 17 nC @ 10 V  
Typ FET P-Channel  
FET-Merkmal -  
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 60 V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 9.4A (Tc)  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie Fairchild Semiconductor FQU11P06TU.

Produkteigenschaften FQU11P06TU FQU12N20TU FQU10N20LTU FQU13N06LTU
Artikelnummer FQU11P06TU FQU12N20TU FQU10N20LTU FQU13N06LTU
Hersteller Fairchild Semiconductor onsemi onsemi Fairchild Semiconductor
Verpackung / Gehäuse TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Paket Bulk Tube Tube Bulk
Rds On (Max) @ Id, Vgs 185mOhm @ 4.7A, 10V 280mOhm @ 4.5A, 10V 360mOhm @ 3.8A, 10V 115mOhm @ 5.5A, 10V
FET-Merkmal - - - -
Vgs (Max) ±30V ±30V ±20V ±20V
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Supplier Device-Gehäuse I-PAK I-PAK I-PAK I-PAK
Serie QFET® QFET® QFET® QFET®
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V 10V 5V, 10V 5V, 10V
VGS (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA 5V @ 250µA 2V @ 250µA 2.5V @ 250µA
Verlustleistung (max) 2.5W (Ta), 38W (Tc) 2.5W (Ta), 55W (Tc) 2.5W (Ta), 51W (Tc) 2.5W (Ta), 28W (Tc)
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 17 nC @ 10 V 23 nC @ 10 V 17 nC @ 5 V 6.4 nC @ 5 V
Befestigungsart Through Hole Through Hole Through Hole Through Hole
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 9.4A (Tc) 9A (Tc) 7.6A (Tc) 11A (Tc)
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 550 pF @ 25 V 910 pF @ 25 V 830 pF @ 25 V 350 pF @ 25 V
Typ FET P-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Drain-Source-Spannung (Vdss) 60 V 200 V 200 V 60 V

Lieferung

Lieferzeit

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Versandart

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  2. Andere Versandmethoden, bitte setzen Sie sich mit Ihrem Kundenmanager in Verbindung.

Logistische Zeitreferenz für Gemeinsame Länder
Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
Naher Osten Israel 6
DHL & FedEx -Versandkosten Referenz
Versandkosten (KG) Referenz DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
Notiz:
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Als Zahlungsmittel stehen folgende Mitteln zur Wahl: T/T, Banküberweisung, Westunion-Überweisung, Kreditkarte, PayPal.

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