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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-EinzelFQU1N60CTU
onsemi
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FQU1N60CTU - onsemi

Hersteller Artikelnummer
FQU1N60CTU
Hersteller
onsemi
Allelco Artikelnummer
32D-FQU1N60CTU
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
MOSFET N-CH 600V 1A IPAK
detaillierte Beschreibung
Verpackung
TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Datenblatt
FQU1N60CTU Datasheet.pdf
RoHS Status
vorrätig: 3810

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Anzahl

Spezifikation

FQU1N60CTU Tech -Spezifikationen
onsemi - FQU1N60CTU Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie onsemi - FQU1N60CTU

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller onsemi  
VGS (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA  
Vgs (Max) ±30V  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse I-PAK  
Serie QFET®  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 11.5Ohm @ 500mA, 10V  
Verlustleistung (max) 2.5W (Ta), 28W (Tc)  
Verpackung / Gehäuse TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA  
Paket Tube  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)  
Befestigungsart Through Hole  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 170 pF @ 25 V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 6.2 nC @ 10 V  
Typ FET N-Channel  
FET-Merkmal -  
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 600 V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 1A (Tc)  
Grundproduktnummer FQU1N60  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie onsemi FQU1N60CTU.

Produkteigenschaften FQU1N60CTU FQU1N80TU FQU17P06TU FQU1N80TU
Artikelnummer FQU1N60CTU FQU1N80TU FQU17P06TU FQU1N80TU
Hersteller onsemi onsemi Fairchild Semiconductor Fairchild Semiconductor
Befestigungsart Through Hole Through Hole Through Hole Through Hole
Verpackung / Gehäuse TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V 10V 10V 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 6.2 nC @ 10 V 7.2 nC @ 10 V 27 nC @ 10 V 7.2 nC @ 10 V
Serie QFET® QFET® QFET® QFET®
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 170 pF @ 25 V 195 pF @ 25 V 900 pF @ 25 V 195 pF @ 25 V
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
VGS (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA 5V @ 250µA 4V @ 250µA 5V @ 250µA
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 1A (Tc) 1A (Tc) 12A (Tc) 1A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 11.5Ohm @ 500mA, 10V 20Ohm @ 500mA, 10V 135mOhm @ 6A, 10V 20Ohm @ 500mA, 10V
Drain-Source-Spannung (Vdss) 600 V 800 V 60 V 800 V
Typ FET N-Channel N-Channel P-Channel N-Channel
FET-Merkmal - - - -
Grundproduktnummer FQU1N60 FQU1N80 - -
Vgs (Max) ±30V ±30V ±25V ±30V
Paket Tube Tube Bulk Bulk
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Verlustleistung (max) 2.5W (Ta), 28W (Tc) 2.5W (Ta), 45W (Tc) 2.5W (Ta), 44W (Tc) 2.5W (Ta), 45W (Tc)
Supplier Device-Gehäuse I-PAK I-PAK I-PAK I-PAK

FQU1N60CTU Datenblatt PDF

Laden Sie FQU1N60CTU PDF -Datenblätter und onsemi -Dokumentation für FQU1N60CTU - onsemi herunter.

Umweltinformationen
onsemi REACH.pdf onsemi RoHS.pdf
PCN -Design/Spezifikation
Logo 17/Aug/2017.pdf
PCN -Verpackung
Mult Devices 24/Oct/2017.pdf Tape and Box/Reel Barcode Update 07/Aug/2014.pdf
PCN -Obsoleszenz/ EOL
Mult Dev EOL 30/Jun/2022.pdf
PCN -Baugruppe/Herkunft
Mult Dev Assembly Chg 20/Dec/2019.pdf
Datenblätter
FQU1N60CTU Datasheet.pdf

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Logistische Zeitreferenz für Gemeinsame Länder
Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
Naher Osten Israel 6
DHL & FedEx -Versandkosten Referenz
Versandkosten (KG) Referenz DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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