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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-EinzelFQU1N80TU
onsemi
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FQU1N80TU - onsemi

Hersteller Artikelnummer
FQU1N80TU
Hersteller
onsemi
Allelco Artikelnummer
32D-FQU1N80TU
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
MOSFET N-CH 800V 1A IPAK
detaillierte Beschreibung
Verpackung
TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Datenblatt
FQD1N80, FQU1N80.pdf
RoHS Status
vorrätig: 82970

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Anzahl

Spezifikation

FQU1N80TU Tech -Spezifikationen
onsemi - FQU1N80TU Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie onsemi - FQU1N80TU

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller onsemi  
VGS (th) (Max) @ Id 5V @ 250µA  
Vgs (Max) ±30V  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse I-PAK  
Serie QFET®  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 20Ohm @ 500mA, 10V  
Verlustleistung (max) 2.5W (Ta), 45W (Tc)  
Verpackung / Gehäuse TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA  
Paket Tube  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)  
Befestigungsart Through Hole  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 195 pF @ 25 V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 7.2 nC @ 10 V  
Typ FET N-Channel  
FET-Merkmal -  
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 800 V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 1A (Tc)  
Grundproduktnummer FQU1N80  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie onsemi FQU1N80TU.

Produkteigenschaften FQU1N80TU FQU1N60CTU FQU1N60CTU FQU1N60TU
Artikelnummer FQU1N80TU FQU1N60CTU FQU1N60CTU FQU1N60TU
Hersteller onsemi Fairchild Semiconductor onsemi onsemi
Supplier Device-Gehäuse I-PAK I-PAK I-PAK I-PAK
Paket Tube Bulk Tube Tube
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 7.2 nC @ 10 V 6.2 nC @ 10 V 6.2 nC @ 10 V 6 nC @ 10 V
Serie QFET® QFET® QFET® QFET®
Verlustleistung (max) 2.5W (Ta), 45W (Tc) 2.5W (Ta), 28W (Tc) 2.5W (Ta), 28W (Tc) 2.5W (Ta), 30W (Tc)
Befestigungsart Through Hole Through Hole Through Hole Through Hole
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 1A (Tc) 1A (Tc) 1A (Tc) 1A (Tc)
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 195 pF @ 25 V 170 pF @ 25 V 170 pF @ 25 V 150 pF @ 25 V
Vgs (Max) ±30V ±30V ±30V ±30V
Typ FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
VGS (th) (Max) @ Id 5V @ 250µA 4V @ 250µA 4V @ 250µA 5V @ 250µA
Drain-Source-Spannung (Vdss) 800 V 600 V 600 V 600 V
FET-Merkmal - - - -
Rds On (Max) @ Id, Vgs 20Ohm @ 500mA, 10V 11.5Ohm @ 500mA, 10V 11.5Ohm @ 500mA, 10V 11.5Ohm @ 500mA, 10V
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V 10V 10V 10V
Grundproduktnummer FQU1N80 - FQU1N60 FQU1
Verpackung / Gehäuse TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA

FQU1N80TU Datenblatt PDF

Laden Sie FQU1N80TU PDF -Datenblätter und onsemi -Dokumentation für FQU1N80TU - onsemi herunter.

Umweltinformationen
onsemi RoHS.pdf
PCN -Design/Spezifikation
Logo 17/Aug/2017.pdf
PCN -Verpackung
Mult Devices 24/Oct/2017.pdf
PCN -Obsoleszenz/ EOL
Mult Dev EOL 30/Jun/2022.pdf
PCN -Baugruppe/Herkunft
Mult Dev Assembly Chg 20/Dec/2019.pdf
Datenblätter
FQD1N80, FQU1N80.pdf

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Logistische Zeitreferenz für Gemeinsame Länder
Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
Naher Osten Israel 6
DHL & FedEx -Versandkosten Referenz
Versandkosten (KG) Referenz DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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