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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-EinzelFQU2N50BTU
onsemi
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FQU2N50BTU - onsemi

Hersteller Artikelnummer
FQU2N50BTU
Hersteller
onsemi
Allelco Artikelnummer
32D-FQU2N50BTU
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
MOSFET N-CH 500V 1.6A IPAK
detaillierte Beschreibung
Verpackung
TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Datenblatt
FQD2N50B, FQU2N50B.pdf
vorrätig: 4710

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Anzahl

Spezifikation

FQU2N50BTU Tech -Spezifikationen
onsemi - FQU2N50BTU Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie onsemi - FQU2N50BTU

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller onsemi  
VGS (th) (Max) @ Id 3.7V @ 250µA  
Vgs (Max) ±30V  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse I-PAK  
Serie QFET®  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 5.3Ohm @ 800mA, 10V  
Verlustleistung (max) 2.5W (Ta), 30W (Tc)  
Verpackung / Gehäuse TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA  
Paket Tube  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)  
Befestigungsart Through Hole  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 230 pF @ 25 V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 8 nC @ 10 V  
Typ FET N-Channel  
FET-Merkmal -  
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 500 V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 1.6A (Tc)  
Grundproduktnummer FQU2  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie onsemi FQU2N50BTU.

Produkteigenschaften FQU2N50BTU FQU2N50BTU FQU2N60CTU FQU20N06LTU
Artikelnummer FQU2N50BTU FQU2N50BTU FQU2N60CTU FQU20N06LTU
Hersteller onsemi Fairchild Semiconductor Fairchild Semiconductor onsemi
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V 10V 10V 5V, 10V
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
FET-Merkmal - - - -
VGS (th) (Max) @ Id 3.7V @ 250µA 3.7V @ 250µA 4V @ 250µA 2.5V @ 250µA
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 1.6A (Tc) 1.6A (Tc) 1.9A (Tc) 17.2A (Tc)
Typ FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Verlustleistung (max) 2.5W (Ta), 30W (Tc) 2.5W (Ta), 30W (Tc) 2.5W (Ta), 44W (Tc) 2.5W (Ta), 38W (Tc)
Supplier Device-Gehäuse I-PAK I-PAK I-PAK I-PAK
Drain-Source-Spannung (Vdss) 500 V 500 V 600 V 60 V
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 230 pF @ 25 V 230 pF @ 25 V 235 pF @ 25 V 630 pF @ 25 V
Paket Tube Tube Bulk Tube
Grundproduktnummer FQU2 - - FQU20N06
Verpackung / Gehäuse TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 8 nC @ 10 V 8 nC @ 10 V 12 nC @ 10 V 13 nC @ 5 V
Vgs (Max) ±30V ±30V ±30V ±20V
Befestigungsart Through Hole Through Hole Through Hole Through Hole
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Serie QFET® QFET® QFET® QFET®
Rds On (Max) @ Id, Vgs 5.3Ohm @ 800mA, 10V 5.3Ohm @ 800mA, 10V 4.7Ohm @ 950mA, 10V 60mOhm @ 8.6A, 10V

FQU2N50BTU Datenblatt PDF

Laden Sie FQU2N50BTU PDF -Datenblätter und onsemi -Dokumentation für FQU2N50BTU - onsemi herunter.

Umweltinformationen
onsemi RoHS.pdf
Datenblätter
FQD2N50B, FQU2N50B.pdf

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Versandart

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  2. Andere Versandmethoden, bitte setzen Sie sich mit Ihrem Kundenmanager in Verbindung.

Logistische Zeitreferenz für Gemeinsame Länder
Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
Naher Osten Israel 6
DHL & FedEx -Versandkosten Referenz
Versandkosten (KG) Referenz DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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Als Zahlungsmittel stehen folgende Mitteln zur Wahl: T/T, Banküberweisung, Westunion-Überweisung, Kreditkarte, PayPal.

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  1. Telefon
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