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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-EinzelFQU2N60CTU
Fairchild Semiconductor
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FQU2N60CTU - Fairchild Semiconductor

Hersteller Artikelnummer
FQU2N60CTU
Hersteller
Fairchild (onsemi)
Allelco Artikelnummer
32D-FQU2N60CTU
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 1
detaillierte Beschreibung
Verpackung
TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Datenblatt
FQU2N60CTU.pdf
vorrätig: 4790

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Spezifikation

FQU2N60CTU Tech -Spezifikationen
Fairchild Semiconductor - FQU2N60CTU Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Fairchild Semiconductor - FQU2N60CTU

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller Fairchild (onsemi)  
VGS (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA  
Vgs (Max) ±30V  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse I-PAK  
Serie QFET®  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 4.7Ohm @ 950mA, 10V  
Verlustleistung (max) 2.5W (Ta), 44W (Tc)  
Verpackung / Gehäuse TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA  
Paket Bulk  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)  
Befestigungsart Through Hole  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 235 pF @ 25 V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 12 nC @ 10 V  
Typ FET N-Channel  
FET-Merkmal -  
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 600 V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 1.9A (Tc)  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie Fairchild Semiconductor FQU2N60CTU.

Produkteigenschaften FQU2N60CTU FQU2N50BTU FQU2N90TU FQU2N50BTU
Artikelnummer FQU2N60CTU FQU2N50BTU FQU2N90TU FQU2N50BTU
Hersteller Fairchild Semiconductor Fairchild Semiconductor Fairchild Semiconductor onsemi
Paket Bulk Tube Tube Tube
Verpackung / Gehäuse TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 1.9A (Tc) 1.6A (Tc) 1.7A (Tc) 1.6A (Tc)
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss) 600 V 500 V 900 V 500 V
Serie QFET® QFET® QFET® QFET®
Verlustleistung (max) 2.5W (Ta), 44W (Tc) 2.5W (Ta), 30W (Tc) 2.5W (Ta), 50W (Tc) 2.5W (Ta), 30W (Tc)
VGS (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA 3.7V @ 250µA 5V @ 250µA 3.7V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 12 nC @ 10 V 8 nC @ 10 V 15 nC @ 10 V 8 nC @ 10 V
FET-Merkmal - - - -
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V 10V 10V 10V
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 235 pF @ 25 V 230 pF @ 25 V 500 pF @ 25 V 230 pF @ 25 V
Befestigungsart Through Hole Through Hole Through Hole Through Hole
Supplier Device-Gehäuse I-PAK I-PAK I-PAK I-PAK
Typ FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Vgs (Max) ±30V ±30V ±30V ±30V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 4.7Ohm @ 950mA, 10V 5.3Ohm @ 800mA, 10V 7.2Ohm @ 850mA, 10V 5.3Ohm @ 800mA, 10V

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Versandart

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Logistische Zeitreferenz für Gemeinsame Länder
Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
Naher Osten Israel 6
DHL & FedEx -Versandkosten Referenz
Versandkosten (KG) Referenz DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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