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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-EinzelFQU4N50TU-WS
onsemi
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FQU4N50TU-WS - onsemi

Hersteller Artikelnummer
FQU4N50TU-WS
Hersteller
onsemi
Allelco Artikelnummer
32D-FQU4N50TU-WS
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
MOSFET N-CH 500V 2.6A IPAK
detaillierte Beschreibung
Verpackung
TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Datenblatt
FQU4N50TU_WS.pdf
RoHS Status
vorrätig: 4180

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Anzahl

Spezifikation

FQU4N50TU-WS Tech -Spezifikationen
onsemi - FQU4N50TU-WS Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie onsemi - FQU4N50TU-WS

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller onsemi  
VGS (th) (Max) @ Id 5V @ 250µA  
Vgs (Max) ±30V  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse I-PAK  
Serie QFET®  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 2.7Ohm @ 1.3A, 10V  
Verlustleistung (max) 2.5W (Ta), 45W (Tc)  
Verpackung / Gehäuse TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA  
Paket Tube  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)  
Befestigungsart Through Hole  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 460 pF @ 25 V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 13 nC @ 10 V  
Typ FET N-Channel  
FET-Merkmal -  
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 500 V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 2.6A (Tc)  
Grundproduktnummer FQU4N50  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie onsemi FQU4N50TU-WS.

Produkteigenschaften FQU4N50TU-WS FQU4P25TU FQU3N60TU FQU3N60CTU
Artikelnummer FQU4N50TU-WS FQU4P25TU FQU3N60TU FQU3N60CTU
Hersteller onsemi onsemi Fairchild Semiconductor onsemi
Befestigungsart Through Hole Through Hole Through Hole Through Hole
Typ FET N-Channel P-Channel N-Channel N-Channel
Paket Tube Tube Tube Tube
Verpackung / Gehäuse TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Supplier Device-Gehäuse I-PAK I-PAK I-PAK I-PAK
FET-Merkmal - - - -
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 2.6A (Tc) 3.1A (Tc) 2.4A (Tc) 2.4A (Tc)
Grundproduktnummer FQU4N50 FQU4 - FQU3
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V 10V 10V 10V
Serie QFET® QFET® QFET® QFET®
Rds On (Max) @ Id, Vgs 2.7Ohm @ 1.3A, 10V 2.1Ohm @ 1.55A, 10V 3.6Ohm @ 1.2A, 10V 3.4Ohm @ 1.2A, 10V
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Verlustleistung (max) 2.5W (Ta), 45W (Tc) 2.5W (Ta), 45W (Tc) 2.5W (Ta), 50W (Tc) 50W (Tc)
VGS (th) (Max) @ Id 5V @ 250µA 5V @ 250µA 5V @ 250µA 4V @ 250µA
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±30V ±30V ±30V ±30V
Drain-Source-Spannung (Vdss) 500 V 250 V 600 V 600 V
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 460 pF @ 25 V 420 pF @ 25 V 450 pF @ 25 V 565 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 13 nC @ 10 V 14 nC @ 10 V 13 nC @ 10 V 14 nC @ 10 V

FQU4N50TU-WS Datenblatt PDF

Laden Sie FQU4N50TU-WS PDF -Datenblätter und onsemi -Dokumentation für FQU4N50TU-WS - onsemi herunter.

Umweltinformationen
onsemi REACH.pdf onsemi RoHS.pdf
PCN -Design/Spezifikation
Logo 17/Aug/2017.pdf
PCN -Verpackung
Mult Devices 24/Oct/2017.pdf Tape and Box/Reel Barcode Update 07/Aug/2014.pdf
PCN -Teilenummer
Mult Device Part Number Chg 30/May/2017.pdf
PCN -Obsoleszenz/ EOL
Mult Dev EOL 23/Dec/2021.pdf
Datenblätter
FQU4N50TU_WS.pdf

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Logistische Zeitreferenz für Gemeinsame Länder
Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
Naher Osten Israel 6
DHL & FedEx -Versandkosten Referenz
Versandkosten (KG) Referenz DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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