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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-EinzelFQU4P25TU
onsemi
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FQU4P25TU - onsemi

Hersteller Artikelnummer
FQU4P25TU
Hersteller
onsemi
Allelco Artikelnummer
32D-FQU4P25TU
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
MOSFET P-CH 250V 3.1A IPAK
detaillierte Beschreibung
Verpackung
TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Datenblatt
FQD4P25, FQU4P25.pdf
vorrätig: 5080

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Anzahl

Spezifikation

FQU4P25TU Tech -Spezifikationen
onsemi - FQU4P25TU Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie onsemi - FQU4P25TU

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller onsemi  
VGS (th) (Max) @ Id 5V @ 250µA  
Vgs (Max) ±30V  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse I-PAK  
Serie QFET®  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 2.1Ohm @ 1.55A, 10V  
Verlustleistung (max) 2.5W (Ta), 45W (Tc)  
Verpackung / Gehäuse TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA  
Paket Tube  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)  
Befestigungsart Through Hole  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 420 pF @ 25 V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 14 nC @ 10 V  
Typ FET P-Channel  
FET-Merkmal -  
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 250 V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 3.1A (Tc)  
Grundproduktnummer FQU4  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie onsemi FQU4P25TU.

Produkteigenschaften FQU4P25TU FQU5N40TU FQU4P25TU FQU4N50TU-WS
Artikelnummer FQU4P25TU FQU5N40TU FQU4P25TU FQU4N50TU-WS
Hersteller onsemi onsemi Fairchild Semiconductor onsemi
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V 10V 10V 10V
Supplier Device-Gehäuse I-PAK I-PAK I-PAK I-PAK
Drain-Source-Spannung (Vdss) 250 V 400 V 250 V 500 V
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 420 pF @ 25 V 460 pF @ 25 V 420 pF @ 25 V 460 pF @ 25 V
Paket Tube Tube Tube Tube
Verlustleistung (max) 2.5W (Ta), 45W (Tc) 2.5W (Ta), 45W (Tc) 2.5W (Ta), 45W (Tc) 2.5W (Ta), 45W (Tc)
Grundproduktnummer FQU4 FQU5N40 - FQU4N50
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
VGS (th) (Max) @ Id 5V @ 250µA 5V @ 250µA 5V @ 250µA 5V @ 250µA
Typ FET P-Channel N-Channel P-Channel N-Channel
Vgs (Max) ±30V ±30V ±30V ±30V
FET-Merkmal - - - -
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 14 nC @ 10 V 13 nC @ 10 V 14 nC @ 10 V 13 nC @ 10 V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 2.1Ohm @ 1.55A, 10V 1.6Ohm @ 1.7A, 10V 2.1Ohm @ 1.55A, 10V 2.7Ohm @ 1.3A, 10V
Verpackung / Gehäuse TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Befestigungsart Through Hole Through Hole Through Hole Through Hole
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 3.1A (Tc) 3.4A (Tc) 3.1A (Tc) 2.6A (Tc)
Serie QFET® QFET® QFET® QFET®

FQU4P25TU Datenblatt PDF

Laden Sie FQU4P25TU PDF -Datenblätter und onsemi -Dokumentation für FQU4P25TU - onsemi herunter.

Umweltinformationen
onsemi RoHS.pdf
Datenblätter
FQD4P25, FQU4P25.pdf

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(Unterschiedlicher Zeitrahmen / Länder / Paketgröße hat einen unterschiedlichen Preis.)

Versandart

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  2. Andere Versandmethoden, bitte setzen Sie sich mit Ihrem Kundenmanager in Verbindung.

Logistische Zeitreferenz für Gemeinsame Länder
Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
Naher Osten Israel 6
DHL & FedEx -Versandkosten Referenz
Versandkosten (KG) Referenz DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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Als Zahlungsmittel stehen folgende Mitteln zur Wahl: T/T, Banküberweisung, Westunion-Überweisung, Kreditkarte, PayPal.

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