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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-EinzelFQU8P10TU
onsemi
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FQU8P10TU - onsemi

Hersteller Artikelnummer
FQU8P10TU
Hersteller
onsemi
Allelco Artikelnummer
32D-FQU8P10TU
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
MOSFET P-CH 100V 6.6A IPAK
detaillierte Beschreibung
Verpackung
TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Datenblatt
FQD8P10, FQU8P10.pdf
RoHS Status
vorrätig: 107190

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Anzahl

Spezifikation

FQU8P10TU Tech -Spezifikationen
onsemi - FQU8P10TU Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie onsemi - FQU8P10TU

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller onsemi  
VGS (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA  
Vgs (Max) ±30V  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse I-PAK  
Serie QFET®  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 530mOhm @ 3.3A, 10V  
Verlustleistung (max) 2.5W (Ta), 44W (Tc)  
Verpackung / Gehäuse TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA  
Paket Tube  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)  
Befestigungsart Through Hole  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 470 pF @ 25 V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 15 nC @ 10 V  
Typ FET P-Channel  
FET-Merkmal -  
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 100 V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 6.6A (Tc)  
Grundproduktnummer FQU8P10  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie onsemi FQU8P10TU.

Produkteigenschaften FQU8P10TU FQU6N40CTU FQU9N25TU FQU9N25TU
Artikelnummer FQU8P10TU FQU6N40CTU FQU9N25TU FQU9N25TU
Hersteller onsemi onsemi onsemi Fairchild Semiconductor
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 15 nC @ 10 V 20 nC @ 10 V 20 nC @ 10 V 20 nC @ 10 V
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 470 pF @ 25 V 625 pF @ 25 V 700 pF @ 25 V 700 pF @ 25 V
VGS (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA 4V @ 250µA 5V @ 250µA 5V @ 250µA
Vgs (Max) ±30V ±30V ±30V ±30V
Serie QFET® QFET® QFET® QFET®
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 6.6A (Tc) 4.5A (Tc) 7.4A (Tc) 7.4A (Tc)
Paket Tube Tube Tube Bulk
Rds On (Max) @ Id, Vgs 530mOhm @ 3.3A, 10V 1Ohm @ 2.25A, 10V 420mOhm @ 3.7A, 10V 420mOhm @ 3.7A, 10V
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart Through Hole Through Hole Through Hole Through Hole
Supplier Device-Gehäuse I-PAK I-PAK I-PAK I-PAK
Verlustleistung (max) 2.5W (Ta), 44W (Tc) 2.5W (Ta), 48W (Tc) 2.5W (Ta), 55W (Tc) 2.5W (Ta), 55W (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V 10V 10V 10V
Grundproduktnummer FQU8P10 FQU6 FQU9N25 -
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss) 100 V 400 V 250 V 250 V
Typ FET P-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
FET-Merkmal - - - -
Verpackung / Gehäuse TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA

FQU8P10TU Datenblatt PDF

Laden Sie FQU8P10TU PDF -Datenblätter und onsemi -Dokumentation für FQU8P10TU - onsemi herunter.

Umweltinformationen
onsemi REACH.pdf onsemi RoHS.pdf
PCN -Design/Spezifikation
Logo 17/Aug/2017.pdf
PCN -Verpackung
Mult Devices 24/Oct/2017.pdf
PCN -Obsoleszenz/ EOL
Mult Dev EOL 23/Dec/2021.pdf
Datenblätter
FQD8P10, FQU8P10.pdf
PCN -Baugruppe/Herkunft
Mult Dev Assembly Chg 20/Dec/2019.pdf

Lieferung

Lieferzeit

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Logistische Zeitreferenz für Gemeinsame Länder
Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
Naher Osten Israel 6
DHL & FedEx -Versandkosten Referenz
Versandkosten (KG) Referenz DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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