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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-EinzelFQU9N25TU
onsemi
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FQU9N25TU - onsemi

Hersteller Artikelnummer
FQU9N25TU
Hersteller
onsemi
Allelco Artikelnummer
32D-FQU9N25TU
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
MOSFET N-CH 250V 7.4A IPAK
detaillierte Beschreibung
Verpackung
TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Datenblatt
FQU9N25TU.pdf
RoHS Status
vorrätig: 5200

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Anzahl

Spezifikation

FQU9N25TU Tech -Spezifikationen
onsemi - FQU9N25TU Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie onsemi - FQU9N25TU

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller onsemi  
VGS (th) (Max) @ Id 5V @ 250µA  
Vgs (Max) ±30V  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse I-PAK  
Serie QFET®  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 420mOhm @ 3.7A, 10V  
Verlustleistung (max) 2.5W (Ta), 55W (Tc)  
Verpackung / Gehäuse TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA  
Paket Tube  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)  
Befestigungsart Through Hole  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 700 pF @ 25 V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 20 nC @ 10 V  
Typ FET N-Channel  
FET-Merkmal -  
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 250 V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 7.4A (Tc)  
Grundproduktnummer FQU9N25  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie onsemi FQU9N25TU.

Produkteigenschaften FQU9N25TU FQU6N40CTU FQU8P10TU FQU7N20TU
Artikelnummer FQU9N25TU FQU6N40CTU FQU8P10TU FQU7N20TU
Hersteller onsemi onsemi Fairchild Semiconductor Fairchild Semiconductor
Verlustleistung (max) 2.5W (Ta), 55W (Tc) 2.5W (Ta), 48W (Tc) 2.5W (Ta), 44W (Tc) 2.5W (Ta), 45W (Tc)
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Paket Tube Tube Bulk Tube
Serie QFET® QFET® QFET® QFET®
Typ FET N-Channel N-Channel P-Channel N-Channel
Verpackung / Gehäuse TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
FET-Merkmal - - - -
Rds On (Max) @ Id, Vgs 420mOhm @ 3.7A, 10V 1Ohm @ 2.25A, 10V 530mOhm @ 3.3A, 10V 690mOhm @ 2.65A, 10V
Drain-Source-Spannung (Vdss) 250 V 400 V 100 V 200 V
VGS (th) (Max) @ Id 5V @ 250µA 4V @ 250µA 4V @ 250µA 5V @ 250µA
Grundproduktnummer FQU9N25 FQU6 - -
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V 10V 10V 10V
Vgs (Max) ±30V ±30V ±30V ±30V
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Supplier Device-Gehäuse I-PAK I-PAK I-PAK I-PAK
Befestigungsart Through Hole Through Hole Through Hole Through Hole
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 20 nC @ 10 V 20 nC @ 10 V 15 nC @ 10 V 10 nC @ 10 V
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 7.4A (Tc) 4.5A (Tc) 6.6A (Tc) 5.3A (Tc)
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 700 pF @ 25 V 625 pF @ 25 V 470 pF @ 25 V 400 pF @ 25 V

FQU9N25TU Datenblatt PDF

Laden Sie FQU9N25TU PDF -Datenblätter und onsemi -Dokumentation für FQU9N25TU - onsemi herunter.

Umweltinformationen
onsemi REACH.pdf onsemi RoHS.pdf
PCN -Design/Spezifikation
Logo 17/Aug/2017.pdf
PCN -Verpackung
Mult Devices 24/Oct/2017.pdf
PCN -Obsoleszenz/ EOL
Mult Dev EOL 23/Dec/2021.pdf
PCN -Baugruppe/Herkunft
Mult Dev Assembly Chg 20/Dec/2019.pdf

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Logistische Zeitreferenz für Gemeinsame Länder
Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
Naher Osten Israel 6
DHL & FedEx -Versandkosten Referenz
Versandkosten (KG) Referenz DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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