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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-IGBTs-EinzelHGTG18N120BN
onsemi
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HGTG18N120BN - onsemi

Hersteller Artikelnummer
HGTG18N120BN
Hersteller
onsemi
Allelco Artikelnummer
32D-HGTG18N120BN
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
IGBT 1200V 54A 390W TO247
detaillierte Beschreibung
Verpackung
TO-247-3
Datenblatt
HGTG18N120BN.pdf
RoHS Status
vorrätig: 4280

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Anzahl

Spezifikation

HGTG18N120BN Tech -Spezifikationen
onsemi - HGTG18N120BN Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie onsemi - HGTG18N120BN

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller onsemi  
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max) 1200 V  
VCE (on) (Max) @ Vge, Ic 2.7V @ 15V, 18A  
Testbedingung 960V, 18A, 3Ohm, 15V  
Td (ein / aus) bei 25 ° C 23ns/170ns  
Schaltenergie 800µJ (on), 1.8mJ (off)  
Supplier Device-Gehäuse TO-247-3  
Serie -  
Leistung - max 390 W  
Verpackung / Gehäuse TO-247-3  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Paket Tube  
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)  
Befestigungsart Through Hole  
Eingabetyp Standard  
IGBT-Typ NPT  
Gate-Ladung 165 nC  
Strom - Collector Pulsed (Icm) 165 A  
Strom - Kollektor (Ic) (max) 54 A  
Grundproduktnummer HGTG18  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie onsemi HGTG18N120BN.

Produkteigenschaften HGTG18N120BN HGTG20N50C1D HGTG20N60A4 HGTG11N120CN
Artikelnummer HGTG18N120BN HGTG20N50C1D HGTG20N60A4 HGTG11N120CN
Hersteller onsemi Harris Corporation Fairchild Semiconductor onsemi
Td (ein / aus) bei 25 ° C 23ns/170ns - 15ns/73ns 23ns/180ns
Befestigungsart Through Hole Through Hole Through Hole Through Hole
Serie - - - -
Testbedingung 960V, 18A, 3Ohm, 15V - 390V, 20A, 3Ohm, 15V 960V, 11A, 10Ohm, 15V
Leistung - max 390 W 75 W 290 W 298 W
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Paket Tube Bulk Bulk Tube
Strom - Collector Pulsed (Icm) 165 A 35 A 280 A 80 A
Strom - Kollektor (Ic) (max) 54 A 26 A 70 A 43 A
Schaltenergie 800µJ (on), 1.8mJ (off) - 105µJ (on), 150µJ (off) 400µJ (on), 1.3mJ (off)
Verpackung / Gehäuse TO-247-3 TO-247-3 TO-247-3 TO-247-3
IGBT-Typ NPT - - NPT
Gate-Ladung 165 nC 33 nC 142 nC 100 nC
Eingabetyp Standard Standard Standard Standard
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max) 1200 V 500 V 600 V 1200 V
Grundproduktnummer HGTG18 - - HGTG11N120
Supplier Device-Gehäuse TO-247-3 TO-247 TO-247 TO-247-3
VCE (on) (Max) @ Vge, Ic 2.7V @ 15V, 18A 3.2V @ 20V, 35A 2.7V @ 15V, 20A 2.4V @ 15V, 11A

HGTG18N120BN Datenblatt PDF

Laden Sie HGTG18N120BN PDF -Datenblätter und onsemi -Dokumentation für HGTG18N120BN - onsemi herunter.

Umweltinformationen
onsemi RoHS.pdf
PCN -Design/Spezifikation
Logo 17/Aug/2017.pdf Dimension/Color Change 24/Feb/2021.pdf
PCN -Verpackung
Mult Devices 24/Oct/2017.pdf Packing quantity increase 28/Dec/2020.pdf
PCN -Obsoleszenz/ EOL
Mult Dev EOL 29/Jan/2021.pdf
PCN -Baugruppe/Herkunft
Mult Dev Assembly/DS Chg 6/Jan/2019.pdf
Datenblätter
HGTG18N120BN.pdf

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  2. Verwenden Sie unser Konto für die Sendung.In der folgenden Tabelle finden Sie die ungefähren Gebühren.
(Unterschiedlicher Zeitrahmen / Länder / Paketgröße hat einen unterschiedlichen Preis.)

Versandart

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  2. Andere Versandmethoden, bitte setzen Sie sich mit Ihrem Kundenmanager in Verbindung.

Logistische Zeitreferenz für Gemeinsame Länder
Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
Naher Osten Israel 6
DHL & FedEx -Versandkosten Referenz
Versandkosten (KG) Referenz DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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Kontaktieren Sie uns, wenn Sie Fragen haben.

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Als Zahlungsmittel stehen folgende Mitteln zur Wahl: T/T, Banküberweisung, Westunion-Überweisung, Kreditkarte, PayPal.

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