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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-IGBTs-EinzelHGTG11N120CND
onsemi
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HGTG11N120CND - onsemi

Hersteller Artikelnummer
HGTG11N120CND
Hersteller
onsemi
Allelco Artikelnummer
32D-HGTG11N120CND
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
IGBT NPT 1200V 43A TO247-3
detaillierte Beschreibung
Verpackung
TO-247-3
Datenblatt
HGTG11N120CND.pdf
RoHS Status
vorrätig: 20427

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Anzahl

Spezifikation

HGTG11N120CND Tech -Spezifikationen
onsemi - HGTG11N120CND Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie onsemi - HGTG11N120CND

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller onsemi  
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max) 1200 V  
VCE (on) (Max) @ Vge, Ic 2.4V @ 15V, 11A  
Testbedingung 960V, 11A, 10Ohm, 15V  
Td (ein / aus) bei 25 ° C 23ns/180ns  
Schaltenergie 950µJ (on), 1.3mJ (off)  
Supplier Device-Gehäuse TO-247-3  
Serie -  
Rückwärts-Erholzeit (Trr) 70 ns  
Leistung - max 298 W  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Verpackung / Gehäuse TO-247-3  
Paket Tube  
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)  
Befestigungsart Through Hole  
Eingabetyp Standard  
IGBT-Typ NPT  
Gate-Ladung 100 nC  
Strom - Collector Pulsed (Icm) 80 A  
Strom - Kollektor (Ic) (max) 43 A  
Grundproduktnummer HGTG11  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie onsemi HGTG11N120CND.

Produkteigenschaften HGTG11N120CND HGTG18N120BN HGTG18N120BND HGTG11N120CND
Artikelnummer HGTG11N120CND HGTG18N120BN HGTG18N120BND HGTG11N120CND
Hersteller onsemi Fairchild Semiconductor onsemi Fairchild Semiconductor
Td (ein / aus) bei 25 ° C 23ns/180ns 23ns/170ns 23ns/170ns 23ns/180ns
Strom - Collector Pulsed (Icm) 80 A 165 A 160 A 80 A
Leistung - max 298 W 390 W 390 W 298 W
Schaltenergie 950µJ (on), 1.3mJ (off) 800µJ (on), 1.8mJ (off) 1.9mJ (on), 1.8mJ (off) 950µJ (on), 1.3mJ (off)
Testbedingung 960V, 11A, 10Ohm, 15V 960V, 18A, 3Ohm, 15V 960V, 18A, 3Ohm, 15V 960V, 11A, 10Ohm, 15V
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart Through Hole Through Hole Through Hole Through Hole
Verpackung / Gehäuse TO-247-3 TO-247-3 TO-247-3 TO-247-3
Grundproduktnummer HGTG11 HGTG18 HGTG18N120 -
Serie - - - -
VCE (on) (Max) @ Vge, Ic 2.4V @ 15V, 11A 2.7V @ 15V, 18A 2.7V @ 15V, 18A 2.4V @ 15V, 11A
Supplier Device-Gehäuse TO-247-3 TO-247-3 TO-247-3 TO-247
Rückwärts-Erholzeit (Trr) 70 ns - 75 ns 70 ns
IGBT-Typ NPT NPT NPT NPT
Eingabetyp Standard Standard Standard Standard
Strom - Kollektor (Ic) (max) 43 A 54 A 54 A 43 A
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max) 1200 V 1200 V 1200 V 1200 V
Gate-Ladung 100 nC 165 nC 165 nC 100 nC
Paket Tube Bulk Tube Bulk

HGTG11N120CND Datenblatt PDF

Laden Sie HGTG11N120CND PDF -Datenblätter und onsemi -Dokumentation für HGTG11N120CND - onsemi herunter.

Umweltinformationen
onsemi REACH.pdf onsemi RoHS.pdf
PCN -Design/Spezifikation
Logo 17/Aug/2017.pdf Dimension/Color Change 24/Feb/2021.pdf Mult Dev 02/May2023.pdf
PCN -Verpackung
Mult Devices 24/Oct/2017.pdf Packing quantity increase 28/Dec/2020.pdf
PCN -Baugruppe/Herkunft
Wafer Fab Change 27/Dec/2022.pdf
Datenblätter
HGTG11N120CND.pdf

Lieferung

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Versandart

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Logistische Zeitreferenz für Gemeinsame Länder
Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
Naher Osten Israel 6
DHL & FedEx -Versandkosten Referenz
Versandkosten (KG) Referenz DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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