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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-EinzelHUF75345S3ST
HUF75345S3ST Image
Das Bild steht nur zum Referenz. Für detaillierte Produktinfos bitte die Produktdaten einsehen

HUF75345S3ST - onsemi

Hersteller Artikelnummer
HUF75345S3ST
Hersteller
onsemi
Allelco Artikelnummer
32D-HUF75345S3ST
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
MOSFET N-CH 55V 75A D2PAK
detaillierte Beschreibung
Verpackung
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Datenblatt
HUF75345G3/P3/S3S.pdf
RoHS Status
vorrätig: 6335

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Anzahl

Spezifikation

HUF75345S3ST Tech -Spezifikationen
onsemi - HUF75345S3ST Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie onsemi - HUF75345S3ST

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller onsemi  
VGS (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA  
Vgs (Max) ±20V  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse D²PAK (TO-263)  
Serie UltraFET™  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 7mOhm @ 75A, 10V  
Verlustleistung (max) 325W (Tc)  
Verpackung / Gehäuse TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB  
Paket Tape & Reel (TR)  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ)  
Befestigungsart Surface Mount  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 4000 pF @ 25 V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 275 nC @ 20 V  
Typ FET N-Channel  
FET-Merkmal -  
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 55 V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 75A (Tc)  
Grundproduktnummer HUF75345  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie onsemi HUF75345S3ST.

Produkteigenschaften HUF75345S3ST HUF75345S3 HUF75542S3S HUF75531SK8T
Artikelnummer HUF75345S3ST HUF75345S3 HUF75542S3S HUF75531SK8T
Hersteller onsemi onsemi Fairchild Semiconductor onsemi
Typ FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Vgs (Max) ±20V ±20V ±20V ±20V
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Paket Tape & Reel (TR) Tube Bulk Tape & Reel (TR)
Verpackung / Gehäuse TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 4000 pF @ 25 V 4000 pF @ 25 V 2750 pF @ 25 V 1210 pF @ 25 V
Befestigungsart Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Verlustleistung (max) 325W (Tc) 325W (Tc) 230W (Tc) 2.5W (Ta)
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 75A (Tc) 75A (Tc) 75A (Tc) 6A (Ta)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V 10V 10V 10V
Drain-Source-Spannung (Vdss) 55 V 55 V 80 V 80 V
Grundproduktnummer HUF75345 HUF75 - HUF75
Serie UltraFET™ UltraFET™ UltraFET™ UltraFET™
VGS (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA 4V @ 250µA 4V @ 250µA 4V @ 250µA
Rds On (Max) @ Id, Vgs 7mOhm @ 75A, 10V 7mOhm @ 75A, 10V 14mOhm @ 75A, 10V 30mOhm @ 6A, 10V
FET-Merkmal - - - -
Supplier Device-Gehäuse D²PAK (TO-263) D²PAK (TO-263) D2PAK (TO-263) 8-SOIC
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 275 nC @ 20 V 275 nC @ 20 V 180 nC @ 20 V 82 nC @ 20 V

HUF75345S3ST Datenblatt PDF

Laden Sie HUF75345S3ST PDF -Datenblätter und onsemi -Dokumentation für HUF75345S3ST - onsemi herunter.

Umweltinformationen
onsemi REACH.pdf onsemi RoHS.pdf
PCN -Design/Spezifikation
Logo 17/Aug/2017.pdf Description Chg 01/Apr/2016.pdf
PCN -Verpackung
Mult Devices 24/Oct/2017.pdf Mult Dev Box Chgs 1/Jul/2021.pdf
PCN -Baugruppe/Herkunft
Assembly Change 09/May/2023.pdf
Datenblätter
HUF75345G3/P3/S3S.pdf

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Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
Naher Osten Israel 6
DHL & FedEx -Versandkosten Referenz
Versandkosten (KG) Referenz DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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