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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-EinzelHUF75542S3S
Fairchild Semiconductor
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HUF75542S3S - Fairchild Semiconductor

Hersteller Artikelnummer
HUF75542S3S
Hersteller
Fairchild (onsemi)
Allelco Artikelnummer
32D-HUF75542S3S
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
N-CHANNEL POWER MOSFET
detaillierte Beschreibung
Verpackung
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Datenblatt
HUF75542S3S.pdf
vorrätig: 20934

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Anzahl

Spezifikation

HUF75542S3S Tech -Spezifikationen
Fairchild Semiconductor - HUF75542S3S Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Fairchild Semiconductor - HUF75542S3S

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller Fairchild (onsemi)  
VGS (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA  
Vgs (Max) ±20V  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse D2PAK (TO-263)  
Serie UltraFET™  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 14mOhm @ 75A, 10V  
Verlustleistung (max) 230W (Tc)  
Verpackung / Gehäuse TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB  
Paket Bulk  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ)  
Befestigungsart Surface Mount  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 2750 pF @ 25 V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 180 nC @ 20 V  
Typ FET N-Channel  
FET-Merkmal -  
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 80 V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 75A (Tc)  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie Fairchild Semiconductor HUF75542S3S.

Produkteigenschaften HUF75542S3S HUF75545S3 HUF75542P3 HUF75531SK8T
Artikelnummer HUF75542S3S HUF75545S3 HUF75542P3 HUF75531SK8T
Hersteller Fairchild Semiconductor Fairchild Semiconductor Fairchild Semiconductor Fairchild Semiconductor
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 180 nC @ 20 V 235 nC @ 20 V 180 nC @ 20 V 82 nC @ 20 V
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 75A (Tc) 75A (Tc) 75A (Tc) 6A (Ta)
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Befestigungsart Surface Mount Through Hole Through Hole Surface Mount
FET-Merkmal - - - -
Verpackung / Gehäuse TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA TO-220-3 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 14mOhm @ 75A, 10V 10mOhm @ 75A, 10V 14mOhm @ 75A, 10V 30mOhm @ 6A, 10V
Supplier Device-Gehäuse D2PAK (TO-263) I2PAK (TO-262) TO-220-3 8-SOIC
Typ FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V 10V 10V 10V
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
VGS (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA 4V @ 250µA 4V @ 250µA 4V @ 250µA
Paket Bulk Tube Bulk Bulk
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 2750 pF @ 25 V 3750 pF @ 25 V 2750 pF @ 25 V 1210 pF @ 25 V
Serie UltraFET™ UltraFET™ UltraFET™ UltraFET™
Drain-Source-Spannung (Vdss) 80 V 80 V 80 V 80 V
Verlustleistung (max) 230W (Tc) 270W (Tc) 230W (Tc) 2.5W (Ta)
Vgs (Max) ±20V ±20V ±20V ±20V

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Versandart

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  2. Andere Versandmethoden, bitte setzen Sie sich mit Ihrem Kundenmanager in Verbindung.

Logistische Zeitreferenz für Gemeinsame Länder
Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
Naher Osten Israel 6
DHL & FedEx -Versandkosten Referenz
Versandkosten (KG) Referenz DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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