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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-EinzelHUF75617D3S
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HUF75617D3S - onsemi

Hersteller Artikelnummer
HUF75617D3S
Hersteller
onsemi
Allelco Artikelnummer
32D-HUF75617D3S
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
MOSFET N-CH 100V 16A TO252AA
detaillierte Beschreibung
Verpackung
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Datenblatt
HUF75617D3/D3S.pdf
vorrätig: 4670

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Spezifikation

HUF75617D3S Tech -Spezifikationen
onsemi - HUF75617D3S Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie onsemi - HUF75617D3S

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller onsemi  
VGS (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA  
Vgs (Max) ±20V  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse TO-252AA  
Serie UltraFET™  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 90mOhm @ 16A, 10V  
Verlustleistung (max) 64W (Tc)  
Verpackung / Gehäuse TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63  
Paket Tube  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ)  
Befestigungsart Surface Mount  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 570 pF @ 25 V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 39 nC @ 20 V  
Typ FET N-Channel  
FET-Merkmal -  
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 100 V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 16A (Tc)  
Grundproduktnummer HUF75  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie onsemi HUF75617D3S.

Produkteigenschaften HUF75617D3S HUF75623P3 HUF75617D3ST HUF75545S3
Artikelnummer HUF75617D3S HUF75623P3 HUF75617D3ST HUF75545S3
Hersteller onsemi onsemi onsemi Fairchild Semiconductor
FET-Merkmal - - - -
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 39 nC @ 20 V 52 nC @ 20 V 39 nC @ 20 V 235 nC @ 20 V
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Verlustleistung (max) 64W (Tc) 85W (Tc) 64W (Tc) 270W (Tc)
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 16A (Tc) 22A (Tc) 16A (Tc) 75A (Tc)
Paket Tube Tube Tape & Reel (TR) Tube
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 570 pF @ 25 V 790 pF @ 25 V 570 pF @ 25 V 3750 pF @ 25 V
Verpackung / Gehäuse TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 TO-220-3 TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V 10V 10V 10V
Supplier Device-Gehäuse TO-252AA TO-220-3 TO-252AA I2PAK (TO-262)
Typ FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Vgs (Max) ±20V ±20V ±20V ±20V
Serie UltraFET™ UltraFET™ UltraFET™ UltraFET™
VGS (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA 4V @ 250µA 4V @ 250µA 4V @ 250µA
Grundproduktnummer HUF75 HUF75 HUF75 -
Rds On (Max) @ Id, Vgs 90mOhm @ 16A, 10V 64mOhm @ 22A, 10V 90mOhm @ 16A, 10V 10mOhm @ 75A, 10V
Drain-Source-Spannung (Vdss) 100 V 100 V 100 V 80 V
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ)
Befestigungsart Surface Mount Through Hole Surface Mount Through Hole

HUF75617D3S Datenblatt PDF

Laden Sie HUF75617D3S PDF -Datenblätter und onsemi -Dokumentation für HUF75617D3S - onsemi herunter.

Umweltinformationen
onsemi REACH.pdf onsemi RoHS.pdf
Datenblätter
HUF75617D3/D3S.pdf

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(Unterschiedlicher Zeitrahmen / Länder / Paketgröße hat einen unterschiedlichen Preis.)

Versandart

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  2. Andere Versandmethoden, bitte setzen Sie sich mit Ihrem Kundenmanager in Verbindung.

Logistische Zeitreferenz für Gemeinsame Länder
Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
Naher Osten Israel 6
DHL & FedEx -Versandkosten Referenz
Versandkosten (KG) Referenz DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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