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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-EinzelHUF75617D3ST
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HUF75617D3ST - onsemi

Hersteller Artikelnummer
HUF75617D3ST
Hersteller
onsemi
Allelco Artikelnummer
32D-HUF75617D3ST
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
MOSFET N-CH 100V 16A TO252AA
detaillierte Beschreibung
Verpackung
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Datenblatt
HUF75617D3/D3S.pdf
vorrätig: 5050

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Spezifikation

HUF75617D3ST Tech -Spezifikationen
onsemi - HUF75617D3ST Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie onsemi - HUF75617D3ST

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller onsemi  
VGS (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA  
Vgs (Max) ±20V  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse TO-252AA  
Serie UltraFET™  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 90mOhm @ 16A, 10V  
Verlustleistung (max) 64W (Tc)  
Verpackung / Gehäuse TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63  
Paket Tape & Reel (TR)  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ)  
Befestigungsart Surface Mount  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 570 pF @ 25 V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 39 nC @ 20 V  
Typ FET N-Channel  
FET-Merkmal -  
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 100 V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 16A (Tc)  
Grundproduktnummer HUF75  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie onsemi HUF75617D3ST.

Produkteigenschaften HUF75617D3ST HUF75631P3 HUF75617D3S HUF75545S3S
Artikelnummer HUF75617D3ST HUF75631P3 HUF75617D3S HUF75545S3S
Hersteller onsemi onsemi onsemi Fairchild Semiconductor
Supplier Device-Gehäuse TO-252AA TO-220-3 TO-252AA D2PAK (TO-263)
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 39 nC @ 20 V 79 nC @ 20 V 39 nC @ 20 V 235 nC @ 20 V
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
FET-Merkmal - - - -
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 16A (Tc) 33A (Tc) 16A (Tc) 75A (Tc)
Befestigungsart Surface Mount Through Hole Surface Mount Surface Mount
Grundproduktnummer HUF75 HUF75 HUF75 -
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V 10V 10V 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 90mOhm @ 16A, 10V 40mOhm @ 33A, 10V 90mOhm @ 16A, 10V 10mOhm @ 75A, 10V
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 570 pF @ 25 V 1220 pF @ 25 V 570 pF @ 25 V 3750 pF @ 25 V
Serie UltraFET™ UltraFET™ UltraFET™ UltraFET™
Typ FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Paket Tape & Reel (TR) Tube Tube Tube
Drain-Source-Spannung (Vdss) 100 V 100 V 100 V 80 V
Verlustleistung (max) 64W (Tc) 120W (Tc) 64W (Tc) 270W (Tc)
VGS (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA 4V @ 250µA 4V @ 250µA 4V @ 250µA
Verpackung / Gehäuse TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 TO-220-3 TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Vgs (Max) ±20V ±20V ±20V ±20V
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ)

HUF75617D3ST Datenblatt PDF

Laden Sie HUF75617D3ST PDF -Datenblätter und onsemi -Dokumentation für HUF75617D3ST - onsemi herunter.

Umweltinformationen
onsemi REACH.pdf onsemi RoHS.pdf
Datenblätter
HUF75617D3/D3S.pdf

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Versandart

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  2. Andere Versandmethoden, bitte setzen Sie sich mit Ihrem Kundenmanager in Verbindung.

Logistische Zeitreferenz für Gemeinsame Länder
Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
Naher Osten Israel 6
DHL & FedEx -Versandkosten Referenz
Versandkosten (KG) Referenz DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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    +00852 9146 4856

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