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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-EinzelHUF76633S3S
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HUF76633S3S - onsemi

Hersteller Artikelnummer
HUF76633S3S
Hersteller
onsemi
Allelco Artikelnummer
32D-HUF76633S3S
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
MOSFET N-CH 100V 39A D2PAK
detaillierte Beschreibung
Verpackung
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Datenblatt
HUF76633P3/S3S.pdf
vorrätig: 3630

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Spezifikation

HUF76633S3S Tech -Spezifikationen
onsemi - HUF76633S3S Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie onsemi - HUF76633S3S

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller onsemi  
VGS (th) (Max) @ Id 3V @ 250µA  
Vgs (Max) ±16V  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse D²PAK (TO-263)  
Serie UltraFET™  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 35mOhm @ 39A, 10V  
Verlustleistung (max) 145W (Tc)  
Verpackung / Gehäuse TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB  
Paket Tube  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ)  
Befestigungsart Surface Mount  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 1820 pF @ 25 V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 67 nC @ 10 V  
Typ FET N-Channel  
FET-Merkmal -  
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 100 V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 39A (Tc)  
Grundproduktnummer HUF76  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie onsemi HUF76633S3S.

Produkteigenschaften HUF76633S3S HUF76639S3S HUF76633S3ST HUF76639S3S
Artikelnummer HUF76633S3S HUF76639S3S HUF76633S3ST HUF76639S3S
Hersteller onsemi onsemi Fairchild Semiconductor Fairchild Semiconductor
Befestigungsart Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Rds On (Max) @ Id, Vgs 35mOhm @ 39A, 10V 26mOhm @ 51A, 10V 35mOhm @ 39A, 10V 26mOhm @ 51A, 10V
Verpackung / Gehäuse TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Verlustleistung (max) 145W (Tc) 180W (Tc) 145W (Tc) 180W (Tc)
VGS (th) (Max) @ Id 3V @ 250µA 3V @ 250µA 3V @ 250µA 3V @ 250µA
Vgs (Max) ±16V ±16V ±16V ±16V
Supplier Device-Gehäuse D²PAK (TO-263) D²PAK (TO-263) D2PAK (TO-263) D2PAK (TO-263)
Serie UltraFET™ UltraFET™ UltraFET™ UltraFET™
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V 4.5V, 10V 4.5V, 10V 4.5V, 10V
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ)
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 1820 pF @ 25 V 2400 pF @ 25 V 1820 pF @ 25 V 2400 pF @ 25 V
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
FET-Merkmal - - - -
Grundproduktnummer HUF76 HUF76 - -
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 67 nC @ 10 V 86 nC @ 10 V 67 nC @ 10 V 86 nC @ 10 V
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 39A (Tc) 51A (Tc) 39A (Tc) 51A (Tc)
Paket Tube Tube Bulk Tube
Typ FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Drain-Source-Spannung (Vdss) 100 V 100 V 100 V 100 V

HUF76633S3S Datenblatt PDF

Laden Sie HUF76633S3S PDF -Datenblätter und onsemi -Dokumentation für HUF76633S3S - onsemi herunter.

Umweltinformationen
onsemi RoHS.pdf
Datenblätter
HUF76633P3/S3S.pdf

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Versandart

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Logistische Zeitreferenz für Gemeinsame Länder
Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
Naher Osten Israel 6
DHL & FedEx -Versandkosten Referenz
Versandkosten (KG) Referenz DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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