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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-EinzelHUF76629D3ST
HUF76629D3ST Image
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HUF76629D3ST - onsemi

Hersteller Artikelnummer
HUF76629D3ST
Hersteller
onsemi
Allelco Artikelnummer
32D-HUF76629D3ST
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
MOSFET N-CH 100V 20A TO252AA
detaillierte Beschreibung
Verpackung
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Datenblatt
HUF76629D3ST-F085.pdf
RoHS Status
vorrätig: 21759

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Anzahl

Spezifikation

HUF76629D3ST Tech -Spezifikationen
onsemi - HUF76629D3ST Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie onsemi - HUF76629D3ST

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller onsemi  
VGS (th) (Max) @ Id 3V @ 250µA  
Vgs (Max) ±16V  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse TO-252AA  
Serie UltraFET™  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 52mOhm @ 20A, 10V  
Verlustleistung (max) 110W (Tc)  
Verpackung / Gehäuse TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63  
Paket Tape & Reel (TR)  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ)  
Befestigungsart Surface Mount  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 1285 pF @ 25 V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 46 nC @ 10 V  
Typ FET N-Channel  
FET-Merkmal -  
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 100 V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 20A (Tc)  
Grundproduktnummer HUF76629  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie onsemi HUF76629D3ST.

Produkteigenschaften HUF76629D3ST HUF76633P3 HUF76639S3ST HUF76639S3S
Artikelnummer HUF76629D3ST HUF76633P3 HUF76639S3ST HUF76639S3S
Hersteller onsemi onsemi Fairchild Semiconductor onsemi
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 1285 pF @ 25 V 1820 pF @ 25 V 2400 pF @ 25 V 2400 pF @ 25 V
FET-Merkmal - - - -
Vgs (Max) ±16V ±16V ±16V ±16V
Serie UltraFET™ UltraFET™ UltraFET™ UltraFET™
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 46 nC @ 10 V 67 nC @ 10 V 86 nC @ 10 V 86 nC @ 10 V
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 52mOhm @ 20A, 10V 35mOhm @ 39A, 10V 26mOhm @ 51A, 10V 26mOhm @ 51A, 10V
Befestigungsart Surface Mount Through Hole Surface Mount Surface Mount
Verlustleistung (max) 110W (Tc) 145W (Tc) 180W (Tc) 180W (Tc)
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V 4.5V, 10V 4.5V, 10V 4.5V, 10V
Typ FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 20A (Tc) 39A (Tc) 51A (Tc) 51A (Tc)
Drain-Source-Spannung (Vdss) 100 V 100 V 100 V 100 V
Supplier Device-Gehäuse TO-252AA TO-220-3 D2PAK (TO-263) D²PAK (TO-263)
Verpackung / Gehäuse TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 TO-220-3 TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Paket Tape & Reel (TR) Tube Bulk Tube
VGS (th) (Max) @ Id 3V @ 250µA 3V @ 250µA 3V @ 250µA 3V @ 250µA
Grundproduktnummer HUF76629 HUF76 - HUF76

HUF76629D3ST Datenblatt PDF

Laden Sie HUF76629D3ST PDF -Datenblätter und onsemi -Dokumentation für HUF76629D3ST - onsemi herunter.

Umweltinformationen
onsemi RoHS.pdf
PCN -Design/Spezifikation
Logo 17/Aug/2017.pdf Description Chg 01/Apr/2016.pdf
PCN -Verpackung
Mult Devices 24/Oct/2017.pdf
PCN -Baugruppe/Herkunft
Assembly Change 28/May/2023.pdf
Datenblätter
HUF76629D3ST-F085.pdf

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Logistische Zeitreferenz für Gemeinsame Länder
Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
Naher Osten Israel 6
DHL & FedEx -Versandkosten Referenz
Versandkosten (KG) Referenz DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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