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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-EinzelIRLS510A
IRLS510A Image
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IRLS510A - onsemi

Hersteller Artikelnummer
IRLS510A
Hersteller
onsemi
Allelco Artikelnummer
32D-IRLS510A
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
MOSFET N-CH 100V 4.5A TO220F
detaillierte Beschreibung
Verpackung
TO-220-3 Full Pack
Datenblatt
IRLS510A.pdf
vorrätig: 5140

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Anzahl

Spezifikation

IRLS510A Tech -Spezifikationen
onsemi - IRLS510A Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie onsemi - IRLS510A

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller onsemi  
VGS (th) (Max) @ Id 2V @ 250µA  
Vgs (Max) ±20V  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse TO-220F-3  
Serie -  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 440mOhm @ 2.25A, 5V  
Verlustleistung (max) 23W (Tc)  
Verpackung / Gehäuse TO-220-3 Full Pack  
Paket Tube  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ)  
Befestigungsart Through Hole  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 235 pF @ 25 V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 8 nC @ 5 V  
Typ FET N-Channel  
FET-Merkmal -  
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 5V  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 100 V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 4.5A (Tc)  
Grundproduktnummer IRLS51  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie onsemi IRLS510A.

Produkteigenschaften IRLS510A IRLS640A IRLSL3036PBF IRLS4030PBF
Artikelnummer IRLS510A IRLS640A IRLSL3036PBF IRLS4030PBF
Hersteller onsemi onsemi Infineon Technologies International Rectifier
FET-Merkmal - - - -
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 5V 5V 4.5V, 10V 4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 440mOhm @ 2.25A, 5V 180mOhm @ 4.9A, 5V 2.4mOhm @ 165A, 10V 4.3mOhm @ 110A, 10V
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 235 pF @ 25 V 1705 pF @ 25 V 11210 pF @ 50 V 11360 pF @ 50 V
Typ FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
VGS (th) (Max) @ Id 2V @ 250µA 2V @ 250µA 2.5V @ 250µA 2.5V @ 250µA
Verpackung / Gehäuse TO-220-3 Full Pack TO-220-3 Full Pack TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ)
Supplier Device-Gehäuse TO-220F-3 TO-220F-3 TO-262 D2PAK
Grundproduktnummer IRLS51 IRLS640 - -
Befestigungsart Through Hole Through Hole Through Hole Surface Mount
Serie - - HEXFET® HEXFET®
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 8 nC @ 5 V 56 nC @ 5 V 140 nC @ 4.5 V 130 nC @ 4.5 V
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 4.5A (Tc) 9.8A (Tc) 195A (Tc) 180A (Tc)
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss) 100 V 200 V 60 V 100 V
Verlustleistung (max) 23W (Tc) 40W (Tc) 380W (Tc) 370W (Tc)
Paket Tube Tube Tube Bulk
Vgs (Max) ±20V ±20V ±16V ±16V

IRLS510A Datenblatt PDF

Laden Sie IRLS510A PDF -Datenblätter und onsemi -Dokumentation für IRLS510A - onsemi herunter.

Umweltinformationen
onsemi REACH.pdf onsemi RoHS.pdf
Datenblätter
IRLS510A.pdf

Lieferung

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(Unterschiedlicher Zeitrahmen / Länder / Paketgröße hat einen unterschiedlichen Preis.)

Versandart

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  2. Andere Versandmethoden, bitte setzen Sie sich mit Ihrem Kundenmanager in Verbindung.

Logistische Zeitreferenz für Gemeinsame Länder
Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
Naher Osten Israel 6
DHL & FedEx -Versandkosten Referenz
Versandkosten (KG) Referenz DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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