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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-EinzelIRLS4030TRLPBF
IRLS4030TRLPBF Image
Das Bild steht nur zum Referenz. Für detaillierte Produktinfos bitte die Produktdaten einsehen

IRLS4030TRLPBF - Infineon Technologies

Hersteller Artikelnummer
IRLS4030TRLPBF
Hersteller
Infineon Technologies
Allelco Artikelnummer
32D-IRLS4030TRLPBF
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
MOSFET N-CH 100V 180A D2PAK
detaillierte Beschreibung
Verpackung
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Datenblatt
IRLS4030TRLPBF.pdf
RoHS Status
vorrätig: 14480

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Anzahl

Spezifikation

IRLS4030TRLPBF Tech -Spezifikationen
Infineon Technologies - IRLS4030TRLPBF Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Infineon Technologies - IRLS4030TRLPBF

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller Infineon Technologies  
VGS (th) (Max) @ Id 2.5V @ 250µA  
Vgs (Max) ±16V  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse D2PAK  
Serie HEXFET®  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 4.3mOhm @ 110A, 10V  
Verlustleistung (max) 370W (Tc)  
Verpackung / Gehäuse TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB  
Paket Tape & Reel (TR)  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ)  
Befestigungsart Surface Mount  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 11360 pF @ 50 V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 130 nC @ 4.5 V  
Typ FET N-Channel  
FET-Merkmal -  
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 100 V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 180A (Tc)  
Grundproduktnummer IRLS4030  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie Infineon Technologies IRLS4030TRLPBF.

Produkteigenschaften IRLS4030TRLPBF IRLSL3036PBF IRLSL3034PBF IRLSL4030PBF
Artikelnummer IRLS4030TRLPBF IRLSL3036PBF IRLSL3034PBF IRLSL4030PBF
Hersteller Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Technologies
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V 4.5V, 10V 4.5V, 10V 4.5V, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 130 nC @ 4.5 V 140 nC @ 4.5 V 162 nC @ 4.5 V 130 nC @ 4.5 V
Supplier Device-Gehäuse D2PAK TO-262 TO-262 TO-262
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 180A (Tc) 195A (Tc) 195A (Tc) 180A (Tc)
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 11360 pF @ 50 V 11210 pF @ 50 V 10315 pF @ 25 V 11360 pF @ 50 V
Befestigungsart Surface Mount Through Hole Through Hole Through Hole
Grundproduktnummer IRLS4030 - - IRLSL4030
Verpackung / Gehäuse TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 4.3mOhm @ 110A, 10V 2.4mOhm @ 165A, 10V 1.7mOhm @ 195A, 10V 4.3mOhm @ 110A, 10V
Verlustleistung (max) 370W (Tc) 380W (Tc) 375W (Tc) 370W (Tc)
Drain-Source-Spannung (Vdss) 100 V 60 V 40 V 100 V
VGS (th) (Max) @ Id 2.5V @ 250µA 2.5V @ 250µA 2.5V @ 250µA 2.5V @ 250µA
Paket Tape & Reel (TR) Tube Tube Tube
Typ FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
FET-Merkmal - - - -
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Serie HEXFET® HEXFET® HEXFET® HEXFET®
Vgs (Max) ±16V ±16V ±20V ±16V

IRLS4030TRLPBF Datenblatt PDF

Laden Sie IRLS4030TRLPBF PDF -Datenblätter und Infineon Technologies -Dokumentation für IRLS4030TRLPBF - Infineon Technologies herunter.

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