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ZuhauseProdukteIntegrierte schaltkreise (ICS)PMIC-Gate-TreiberMC33153DR2
MC33153DR2 Image
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MC33153DR2 - onsemi

Hersteller Artikelnummer
MC33153DR2
Hersteller
onsemi
Allelco Artikelnummer
32D-MC33153DR2
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
IC GATE DRVR LOW-SIDE 8SOIC
detaillierte Beschreibung
Verpackung
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Datenblatt
MC33153.pdf
MC33153.pdf
vorrätig: 6730

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Anzahl

Spezifikation

MC33153DR2 Tech -Spezifikationen
onsemi - MC33153DR2 Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie onsemi - MC33153DR2

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller onsemi  
Spannungsversorgung 11V ~ 20V  
Supplier Device-Gehäuse 8-SOIC  
Serie -  
Aufstieg / Fallzeit (Typ) 17ns, 17ns  
Verpackung / Gehäuse 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)  
Paket Tape & Reel (TR)  
Betriebstemperatur -40°C ~ 150°C (TJ)  
Anzahl der Treiber 1  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Befestigungsart Surface Mount  
Logikspannung - VIL, VIH 1.2V, 3.2V  
Eingabetyp Inverting  
Gate-Typ IGBT, N-Channel MOSFET  
Angetriebene Konfiguration Low-Side  
Strom - Spitzenleistung (Quelle, Sink) 1A, 2A  
Ladestrom Single  
Grundproduktnummer MC33153  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie onsemi MC33153DR2.

Produkteigenschaften MC33153DR2 MC33152PG MC33153P MC33151VDR2G
Artikelnummer MC33153DR2 MC33152PG MC33153P MC33151VDR2G
Hersteller onsemi onsemi onsemi onsemi
Paket Tape & Reel (TR) Tube Tube Tape & Reel (TR)
Befestigungsart Surface Mount Through Hole Through Hole Surface Mount
Grundproduktnummer MC33153 MC33152 MC33153 MC33151
Spannungsversorgung 11V ~ 20V 6.1V ~ 18V 11V ~ 20V 6.5V ~ 18V
Eingabetyp Inverting Non-Inverting Inverting Inverting
Supplier Device-Gehäuse 8-SOIC 8-PDIP 8-PDIP 8-SOIC
Anzahl der Treiber 1 2 1 2
Serie - - - -
Betriebstemperatur -40°C ~ 150°C (TJ) -40°C ~ 150°C (TJ) -40°C ~ 150°C (TJ) -40°C ~ 150°C (TJ)
Strom - Spitzenleistung (Quelle, Sink) 1A, 2A 1.5A, 1.5A 1A, 2A 1.5A, 1.5A
Logikspannung - VIL, VIH 1.2V, 3.2V 0.8V, 2.6V 1.2V, 3.2V 0.8V, 2.6V
Gate-Typ IGBT, N-Channel MOSFET N-Channel MOSFET IGBT, N-Channel MOSFET N-Channel MOSFET
Angetriebene Konfiguration Low-Side Low-Side Low-Side Low-Side
Verpackung / Gehäuse 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 8-DIP (0.300', 7.62mm) 8-DIP (0.300", 7.62mm) 8-SOIC (0.154', 3.90mm Width)
Ladestrom Single Independent Single Independent
Aufstieg / Fallzeit (Typ) 17ns, 17ns 36ns, 32ns 17ns, 17ns 31ns, 32ns

MC33153DR2 Datenblatt PDF

Laden Sie MC33153DR2 PDF -Datenblätter und onsemi -Dokumentation für MC33153DR2 - onsemi herunter.

Umweltinformationen
onsemi REACH.pdf onsemi RoHS.pdf
Datenblätter
MC33153.pdf
HTML -Datenblatt
MC33153.pdf

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Versandart

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  2. Andere Versandmethoden, bitte setzen Sie sich mit Ihrem Kundenmanager in Verbindung.

Logistische Zeitreferenz für Gemeinsame Länder
Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
Naher Osten Israel 6
DHL & FedEx -Versandkosten Referenz
Versandkosten (KG) Referenz DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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Als Zahlungsmittel stehen folgende Mitteln zur Wahl: T/T, Banküberweisung, Westunion-Überweisung, Kreditkarte, PayPal.

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