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ZuhauseProdukteIntegrierte schaltkreise (ICS)PMIC-Gate-TreiberMC33153DR2G
MC33153DR2G Image
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MC33153DR2G - onsemi

Hersteller Artikelnummer
MC33153DR2G
Hersteller
onsemi
Allelco Artikelnummer
32D-MC33153DR2G
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
IC GATE DRVR LOW-SIDE 8SOIC
detaillierte Beschreibung
Verpackung
8-SOIC (0.154', 3.90mm Width)
Datenblatt
Cylindrical Battery Holders.pdf
MC33153.pdf
RoHS Status
vorrätig: 31393

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Anzahl

Spezifikation

MC33153DR2G Tech -Spezifikationen
onsemi - MC33153DR2G Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie onsemi - MC33153DR2G

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller onsemi  
Spannungsversorgung 11V ~ 20V  
Supplier Device-Gehäuse 8-SOIC  
Serie -  
Aufstieg / Fallzeit (Typ) 17ns, 17ns  
Verpackung / Gehäuse 8-SOIC (0.154', 3.90mm Width)  
Paket Tape & Reel (TR)  
Betriebstemperatur -40°C ~ 150°C (TJ)  
Anzahl der Treiber 1  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Befestigungsart Surface Mount  
Logikspannung - VIL, VIH 1.2V, 3.2V  
Eingabetyp Inverting  
Gate-Typ IGBT, N-Channel MOSFET  
Angetriebene Konfiguration Low-Side  
Strom - Spitzenleistung (Quelle, Sink) 1A, 2A  
Ladestrom Single  
Grundproduktnummer MC33153  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie onsemi MC33153DR2G.

Produkteigenschaften MC33153DR2G MC33152VDR2G MC33152P MC33153PG
Artikelnummer MC33153DR2G MC33152VDR2G MC33152P MC33153PG
Hersteller onsemi onsemi onsemi onsemi
Aufstieg / Fallzeit (Typ) 17ns, 17ns 36ns, 32ns 36ns, 32ns 17ns, 17ns
Ladestrom Single Independent Independent Single
Anzahl der Treiber 1 2 2 1
Strom - Spitzenleistung (Quelle, Sink) 1A, 2A 1.5A, 1.5A 1.5A, 1.5A 1A, 2A
Angetriebene Konfiguration Low-Side Low-Side Low-Side Low-Side
Supplier Device-Gehäuse 8-SOIC 8-SOIC 8-PDIP 8-PDIP
Verpackung / Gehäuse 8-SOIC (0.154', 3.90mm Width) 8-SOIC (0.154', 3.90mm Width) 8-DIP (0.300", 7.62mm) 8-DIP (0.300', 7.62mm)
Grundproduktnummer MC33153 MC33152 MC33152 MC33153
Befestigungsart Surface Mount Surface Mount Through Hole Through Hole
Gate-Typ IGBT, N-Channel MOSFET N-Channel MOSFET N-Channel MOSFET IGBT, N-Channel MOSFET
Serie - - - -
Spannungsversorgung 11V ~ 20V 6.1V ~ 18V 6.1V ~ 18V 11V ~ 20V
Paket Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tube Tube
Logikspannung - VIL, VIH 1.2V, 3.2V 0.8V, 2.6V 0.8V, 2.6V 1.2V, 3.2V
Eingabetyp Inverting Non-Inverting Non-Inverting Inverting
Betriebstemperatur -40°C ~ 150°C (TJ) -40°C ~ 150°C (TJ) -40°C ~ 150°C (TJ) -40°C ~ 150°C (TJ)

MC33153DR2G Datenblatt PDF

Laden Sie MC33153DR2G PDF -Datenblätter und onsemi -Dokumentation für MC33153DR2G - onsemi herunter.

Umweltinformationen
onsemi RoHS.pdf Material Declaration MC33153DR2G.pdf
PCN -Verpackung
2.73KHz.pdf
Datenblätter
Cylindrical Battery Holders.pdf
HTML -Datenblatt
MC33153.pdf

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Versandart

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  2. Andere Versandmethoden, bitte setzen Sie sich mit Ihrem Kundenmanager in Verbindung.

Logistische Zeitreferenz für Gemeinsame Länder
Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
Naher Osten Israel 6
DHL & FedEx -Versandkosten Referenz
Versandkosten (KG) Referenz DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
Notiz:
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Als Zahlungsmittel stehen folgende Mitteln zur Wahl: T/T, Banküberweisung, Westunion-Überweisung, Kreditkarte, PayPal.

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