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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-EinzelNDF10N60ZH
NDF10N60ZH Image
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NDF10N60ZH - onsemi

Hersteller Artikelnummer
NDF10N60ZH
Hersteller
onsemi
Allelco Artikelnummer
32D-NDF10N60ZH
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
MOSFET N-CH 600V 10A TO220FP
detaillierte Beschreibung
Verpackung
TO-220-3 Full Pack
Datenblatt
NDx10N60ZG,H.pdf
vorrätig: 4300

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Anzahl

Spezifikation

NDF10N60ZH Tech -Spezifikationen
onsemi - NDF10N60ZH Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie onsemi - NDF10N60ZH

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller onsemi  
VGS (th) (Max) @ Id 4.5V @ 100µA  
Vgs (Max) ±30V  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse TO-220-2 Full Pack  
Serie -  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 750mOhm @ 5A, 10V  
Verlustleistung (max) 39W (Tc)  
Verpackung / Gehäuse TO-220-3 Full Pack  
Paket Tube  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)  
Befestigungsart Through Hole  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 1645 pF @ 25 V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 68 nC @ 10 V  
Typ FET N-Channel  
FET-Merkmal -  
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 600 V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 10A (Tc)  
Grundproduktnummer NDF10  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie onsemi NDF10N60ZH.

Produkteigenschaften NDF10N60ZH NDF06N62ZG NDF06N60ZH NDF08N50ZH
Artikelnummer NDF10N60ZH NDF06N62ZG NDF06N60ZH NDF08N50ZH
Hersteller onsemi onsemi Sanyo onsemi
Befestigungsart Through Hole Through Hole Through Hole Through Hole
Vgs (Max) ±30V ±30V ±30V ±30V
VGS (th) (Max) @ Id 4.5V @ 100µA 4.5V @ 100µA 4.5V @ 100µA 4.5V @ 100µA
Supplier Device-Gehäuse TO-220-2 Full Pack TO-220FP TO-220-3 Full Pack TO-220-2 Full Pack
Paket Tube Tube Tube Tube
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss) 600 V 620 V 600 V 500 V
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 1645 pF @ 25 V 923 pF @ 25 V 923 pF @ 25 V 1095 pF @ 25 V
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Verpackung / Gehäuse TO-220-3 Full Pack TO-220-3 Full Pack TO-220-3 Full Pack TO-220-3 Full Pack
Rds On (Max) @ Id, Vgs 750mOhm @ 5A, 10V 1.2Ohm @ 3A, 10V 1.2Ohm @ 3A, 10V 850mOhm @ 3.6A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 68 nC @ 10 V 32 nC @ 10 V 31 nC @ 10 V 46 nC @ 10 V
Verlustleistung (max) 39W (Tc) 31W (Tc) 31W (Tc) 35W (Tc)
Grundproduktnummer NDF10 NDF06 - NDF08
Typ FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
FET-Merkmal - - - -
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 10A (Tc) 6A (Tc) 6A (Tj) 8.5A (Tc)
Serie - - - -
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V 10V - 10V

NDF10N60ZH Datenblatt PDF

Laden Sie NDF10N60ZH PDF -Datenblätter und onsemi -Dokumentation für NDF10N60ZH - onsemi herunter.

Umweltinformationen
onsemi RoHS.pdf
PCN -Obsoleszenz/ EOL
Mult Devices 01/Sep/2017.pdf
Datenblätter
NDx10N60ZG,H.pdf
PCN -Baugruppe/Herkunft
Qualification Assembly/Test Site 25/Sep/2014.pdf

Lieferung

Lieferzeit

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(Unterschiedlicher Zeitrahmen / Länder / Paketgröße hat einen unterschiedlichen Preis.)

Versandart

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Logistische Zeitreferenz für Gemeinsame Länder
Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
Naher Osten Israel 6
DHL & FedEx -Versandkosten Referenz
Versandkosten (KG) Referenz DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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Als Zahlungsmittel stehen folgende Mitteln zur Wahl: T/T, Banküberweisung, Westunion-Überweisung, Kreditkarte, PayPal.

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    +00852 9146 4856

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