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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-EinzelNDF06N62ZG
onsemi
Das Bild steht nur zum Referenz. Für detaillierte Produktinfos bitte die Produktdaten einsehen

NDF06N62ZG - onsemi

Hersteller Artikelnummer
NDF06N62ZG
Hersteller
onsemi
Allelco Artikelnummer
32D-NDF06N62ZG
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
MOSFET N-CH 620V 6A TO220FP
detaillierte Beschreibung
Verpackung
TO-220-3 Full Pack
Datenblatt
ND(F,P)06N62Z.pdf
vorrätig: 4960

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Anzahl

Spezifikation

NDF06N62ZG Tech -Spezifikationen
onsemi - NDF06N62ZG Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie onsemi - NDF06N62ZG

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller onsemi  
VGS (th) (Max) @ Id 4.5V @ 100µA  
Vgs (Max) ±30V  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse TO-220FP  
Serie -  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 1.2Ohm @ 3A, 10V  
Verlustleistung (max) 31W (Tc)  
Verpackung / Gehäuse TO-220-3 Full Pack  
Paket Tube  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)  
Befestigungsart Through Hole  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 923 pF @ 25 V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 32 nC @ 10 V  
Typ FET N-Channel  
FET-Merkmal -  
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 620 V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 6A (Tc)  
Grundproduktnummer NDF06  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie onsemi NDF06N62ZG.

Produkteigenschaften NDF06N62ZG NDF05N50ZH NDF08N60ZH NDF08N50ZH
Artikelnummer NDF06N62ZG NDF05N50ZH NDF08N60ZH NDF08N50ZH
Hersteller onsemi Sanyo onsemi onsemi
Rds On (Max) @ Id, Vgs 1.2Ohm @ 3A, 10V 1.5Ohm @ 2.2A, 10V 950mOhm @ 3.5A, 10V 850mOhm @ 3.6A, 10V
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 923 pF @ 25 V 632 pF @ 25 V 1370 pF @ 25 V 1095 pF @ 25 V
FET-Merkmal - - - -
Drain-Source-Spannung (Vdss) 620 V 500 V 600 V 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 32 nC @ 10 V 28 nC @ 10 V 58 nC @ 10 V 46 nC @ 10 V
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 6A (Tc) 5.5A (Ta) 8.4A (Tc) 8.5A (Tc)
Supplier Device-Gehäuse TO-220FP TO-220-3 Full Pack TO-220-2 Full Pack TO-220-2 Full Pack
Typ FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Grundproduktnummer NDF06 - NDF08 NDF08
VGS (th) (Max) @ Id 4.5V @ 100µA 4.5V @ 50µA 4.5V @ 100µA 4.5V @ 100µA
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±30V ±30V ±30V ±30V
Verlustleistung (max) 31W (Tc) 30W (Tc) 36W (Tc) 35W (Tc)
Paket Tube Tube Tube Tube
Verpackung / Gehäuse TO-220-3 Full Pack TO-220-3 Full Pack TO-220-3 Full Pack TO-220-3 Full Pack
Befestigungsart Through Hole Through Hole Through Hole Through Hole
Serie - - - -
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V - 10V 10V

NDF06N62ZG Datenblatt PDF

Laden Sie NDF06N62ZG PDF -Datenblätter und onsemi -Dokumentation für NDF06N62ZG - onsemi herunter.

Umweltinformationen
onsemi REACH.pdf onsemi RoHS.pdf
PCN -Obsoleszenz/ EOL
Multiple Devices 20/Dec/2013.pdf
Datenblätter
ND(F,P)06N62Z.pdf

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Logistische Zeitreferenz für Gemeinsame Länder
Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
Naher Osten Israel 6
DHL & FedEx -Versandkosten Referenz
Versandkosten (KG) Referenz DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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